基于低壓壓印制備硅點陣結構的工藝研究及其應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅納米線由于其特有的半導體、機械性能、光電特性,日益成為人們研究的重點。目前在場效應晶體管、生物及化學傳感器、集成邏輯電路、太陽能電池等多個領域有著廣泛的應用。雖然目前制備硅納米線的方法有許多種,如氣液固生長法、氧化輔助生長法、固液固生長法,但是大部分往往是無規(guī)則的生長法,因此如何制備高密度、圖形規(guī)則的硅點陣納米結構有著積極的意義。
　　本文以玻璃模板的點陣圖案為基礎,對納米壓印這一圖形復制技術進行了理論研究和相關工藝參數(shù)的優(yōu)化,

2、通過低壓壓印將圖案轉移到硅片上的PMMA層,實驗和有限元模擬結果表明,低壓壓印因為毛細作用下光刻膠在模板內(nèi)的充分填充可以獲得良好的圖形復制精度和較小的殘余膠厚度,因此適于大面積高密度光刻膠結構的均勻復制。然后以其作掩模,探索金屬輔助濕法刻蝕以及反應離子刻蝕的原理和最佳實驗參數(shù),并介紹了一種基于雙層膠技術制備適用于溶膠去膠法的下切結構掩模的方法;制備了硅納米結構,驗證其與平面硅相比有更好的光捕獲性能。最后將其應用于硅太陽能電池器件的制備,

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