電子封裝SiC-,p--Al復(fù)合材料熱導(dǎo)率研究.pdf

1、南昌航空大學(xué)碩士學(xué)位論文電子封裝SiCAl復(fù)合材料熱導(dǎo)率研究姓名：鄒愛(ài)華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：@指導(dǎo)教師：周賢良@II于50%時(shí)，下降較為明顯；當(dāng)復(fù)合材料有微量孔洞時(shí)，其導(dǎo)熱性能下降，但下降幅度不大；這些熱導(dǎo)率之間的差異主要是由SiC顆粒所提供的散射面積不同而引起。（2）基體中加入適量的Si元素可明顯抑制界面反應(yīng)的進(jìn)行，并且隨著基體合金中Si含量的增加，SiCpAl復(fù)合材料的熱導(dǎo)率降低，但不是呈線性下降；基體中單純加入Mg元素不能抑制

2、界面反應(yīng)的發(fā)生，有界面反應(yīng)物A14C3生成，且界面反應(yīng)程度隨著Mg含量的增加而減少，但能改善AlSiC體系的潤(rùn)濕性，隨著基體合金元素Mg含量的增加，復(fù)合材料的熱導(dǎo)率呈上升趨勢(shì)，當(dāng)Mg含量超過(guò)6.3%時(shí)，其熱導(dǎo)率增加的幅度減小；SiC顆粒表面進(jìn)行氧化處理可以抑制有害界面反應(yīng)的發(fā)生，也可改善潤(rùn)濕性，SiC在800℃4h氧化時(shí)比在1100℃4h更有利于提高復(fù)合材料的熱導(dǎo)率；SiCpAl復(fù)合材料在經(jīng)過(guò)四種不同固溶時(shí)效處理后熱導(dǎo)率比退火態(tài)的高，而

3、且在四種固溶時(shí)效中，495℃固溶3h，200℃時(shí)效3h的熱導(dǎo)率最高；（3）建立的理論預(yù)測(cè)模型，與實(shí)測(cè)值符合較好，模型不僅考慮了界面效應(yīng)，在一定程度上也考慮了粒子的形狀。關(guān)鍵詞：關(guān)鍵詞：電子封裝，電子封裝，SiCpAl復(fù)合材料，無(wú)壓滲透法，熱導(dǎo)率，理論模型復(fù)合材料，無(wú)壓滲透法，熱導(dǎo)率，理論模型ABSTRACTFthepurposeofelectronicpackagingapplicationsSiCpAlcompositeswhichi

4、ncludedifferentSiCparticlediameter(220m90m63m)differentSiCparticleshape(irregularitysphericity)differentSielementcontent（5%9%12%）Mgelementcontent（3.5%6.3%10.2%）inmatrixdifferentheattreatments(theannealingtreatment、thesol

5、utionaging)werefabricatedbypressurelessinfiltrationwithoutprefms；SiCpAlcompositeswhichincludedifferentvolumefractions(38.4%48.93%52%62%)differentholecoefficient（3.7%3.0%2.4%1.7%）werefabricatedbypressurelessinfiltrationwi

6、thperfms.Themicrostructure、phaseinterfaceacteristicofSiCpAlcompositeswereobservedanalyzedbyOMXRDSEMTEMThethermalconductivityweretestedbylaserflashthermalconductivityapparatus.TherelationbetweenthermalconductivityofSiCpAl

7、compositesdiameter、shape、volumefractionsofSiCparticleinterfaceacteristicwerediscussed，theruleacteristicofchangesonthermalconductivityofcompositeswereanalyzedfromviewpointoftheproptionstatesofinterface.BesidesbasedontheMa