版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、SiCp/Al復(fù)合材料具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高模量、低密度等優(yōu)異的綜合性能,是當(dāng)今材料科學(xué)的研究熱點(diǎn)之一。 制備高性能的預(yù)制體是制備高性能SiCp/Al復(fù)合材料的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前國內(nèi)外有關(guān)顆粒預(yù)制體制備的報(bào)道非常少。選擇性激光燒結(jié)法(SLS)制備預(yù)制體較其他的方法具有無模制造和能制備復(fù)雜形狀的優(yōu)點(diǎn)。在SiCp/Al復(fù)合材料的制備方法中,真空壓力浸滲法是在真空、壓力條件下浸滲,可以改善金屬與增強(qiáng)體的界面結(jié)合情況,內(nèi)部組織也較密實(shí)。
2、而且通過控制熔化過程更能避免氣體和夾雜物的裹入問題。是較好的制備含高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒的SiCp/Al復(fù)合材料的方法。 本文提出了將環(huán)氧樹脂與磷酸二氫銨作為混合粘結(jié)劑進(jìn)行激光燒結(jié)制備SiCp預(yù)制體的方法,在200℃左右的激光燒結(jié)時(shí),環(huán)氧樹脂發(fā)揮主要粘結(jié)作用,隨后的700℃二次燒結(jié)使環(huán)氧樹脂燒損生成孔隙并使磷酸二氫銨發(fā)揮主要粘結(jié)作用讓預(yù)制體成型。經(jīng)過正交實(shí)驗(yàn),結(jié)合工藝參數(shù)對預(yù)制體成型性的影響和提高燒結(jié)效率的目的,最后選擇的激光燒結(jié)
3、工藝參數(shù)為:激光功率30W;掃描速度1500 mm/s;激光掃描間距0.1mm;鋪粉層厚0.2mm。所制備的預(yù)制體通過真空壓力浸滲法制得了SiCp/Al復(fù)合材料,其顆粒分布均勻,顆粒體積比通過調(diào)節(jié)環(huán)氧樹脂比例和加入填料的方式在一定范圍內(nèi)可調(diào)。 討論了在真空壓力浸滲法制備單一顆粒尺寸SiCp/Al復(fù)合材料中浸滲壓力、浸滲溫度、保壓時(shí)間和Si、Mg的加入對滲流的影響并提出了改善滲流的方法。 成功制備了含80μm和21μm S
4、iC的雙顆粒尺寸SiCp/Al復(fù)合材料, SiC顆粒體積分?jǐn)?shù)為68.3%,其SiC顆粒分布均勻,界面處無明顯孔洞和夾雜,也無Al4C3脆相生成,通過云紋干涉法測得其30℃-200℃的熱膨脹系數(shù)為8.289x10-6 /K,200℃-500℃的熱膨脹系數(shù)為11.307x10-6 /K。當(dāng)溫度超過200℃,隨著熱應(yīng)力的增加及基體強(qiáng)度的下降,基體中產(chǎn)生了塑性變形。此時(shí)復(fù)合材料的熱應(yīng)變等于基體和陶瓷顆粒的膨脹量與基體塑性變形量之和,因而導(dǎo)致了S
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SiC-,p--Al復(fù)合材料成型工藝研究.pdf
- SiC-,P--Al復(fù)合材料制備工藝和微結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- 電子封裝SiC-,p--Al復(fù)合材料熱導(dǎo)率研究.pdf
- 電子封裝SiC-,p--Al復(fù)合材料性能及影響因素研究.pdf
- SiC-,p--Al電子封裝復(fù)合材料的SPS燒結(jié)及性能研究.pdf
- 直接浸滲法制備MoSi_2-SiC復(fù)合材料及材料性能研究.pdf
- 粉末冶金法制備β-SiC-,p--Al電子封裝材料工藝與性能研究.pdf
- 高體積分?jǐn)?shù)SiC-,p--Al復(fù)合材料的制備及其沖擊特性研究.pdf
- 雙尺寸顆粒SiC-Mg復(fù)合材料真空壓力浸滲工藝及性能研究.pdf
- 壓力浸滲制備石墨增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料及其性能研究.pdf
- 離心凝固SiC-,p--Al基復(fù)合材料顆粒分布模型與數(shù)值模擬研究.pdf
- PIP法制備SiC-SiC復(fù)合材料及其性能.pdf
- 無壓浸滲法制備SiCp-Al復(fù)合材料.pdf
- 快速自發(fā)浸滲法制備鋁基復(fù)合材料及其反應(yīng)和浸滲機(jī)理研究.pdf
- 無壓浸滲法制備SiC-Al復(fù)合材料強(qiáng)度和耐磨性的研究.pdf
- 無壓浸滲法制備SiCp-Al復(fù)合材料的研究.pdf
- 直接金屬氧化法制備SiC-,p--Al-,2-O-,3--Al復(fù)合材料的研究.pdf
- 無壓浸滲法制備SiC-Al電子封裝材料.pdf
- 負(fù)熱膨脹材料及其環(huán)氧復(fù)合材料的制備與性能.pdf
- SiC-,P--Cu復(fù)合材料的制備及其組織性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論