納米片狀WO3薄膜的制備及其光電化學性質(zhì)研究.pdf

1、近年來，以金屬鎢片為基底制各納米片狀WO3薄膜電極，因其反應(yīng)條件溫和、工藝簡單，在光電材料領(lǐng)域受到了眾多研究者的青睞。但制備的薄膜存在基底不透明而難實現(xiàn)器件化的問題制約了在光電材料領(lǐng)域的應(yīng)用?；诖吮疚奶岢隽藶R射-水熱法合成納米片狀WO3薄膜，并采用此方法制備了基底透明的納米片狀WO3薄膜;另外，為了改善納米片狀WO3薄膜對可見光的響應(yīng)，本文對納米片狀WO3薄膜進行無機半導(dǎo)體量子點敏化改性，改善了納米片狀WO3薄膜的光電性能。
　

2、　首先采用磁控濺射技術(shù)在FTO導(dǎo)電玻璃上濺射一層金屬鎢膜，再以此金屬鎢膜為原料，通過水熱法制備了納米片狀WO3·H2O薄膜。制備的納米片狀WO3·H2O薄膜經(jīng)450℃燒結(jié)后轉(zhuǎn)變成透明的單斜WO3薄膜;其WO3薄膜是由垂直生長在致密WO3層上的納米片狀WO3組成，每片厚度為50～80 nm，邊長為0.8～1.2μm，薄膜厚為1.5～2μm。研究發(fā)現(xiàn):水熱反應(yīng)的時間、溫度及HNO3濃度是影響薄膜形貌和光電化學性能的重要因素。在1.5 mol

3、·L-1的稀HNO3中，水熱溫度控制在120℃，時間為3小時，進行水熱反應(yīng)制備的納米片狀WO3薄膜電極具有最佳光電化學性能，在1.2 V(vs.Ag/AgCl sat.)的電位下，薄膜的光電流密度為1.95 mA/cm2。
　　關(guān)于量子點敏化WO3薄膜的制各，預(yù)先用TiCl4溶液對片狀WO3薄膜進行修飾來提高其在堿性電解質(zhì)中的耐腐蝕性，采用醇溶液的化學浴法制備了CdS量子點敏化納米片狀WO3薄膜。與未沉積CdS量子點納米片狀WO3