WO3基納米結構薄膜電極的制備、表征及其光電化學性質研究.pdf

1、目前光電化學池(PEC)制氫技術存在無法充分利用太陽能、高性能光陽極材料制備工藝復雜、光生電子傳輸機制尚不清楚等問題，基于此本文選取具有良好的可見光響應和電子傳輸性能的 WO3作為光陽極材料，通過納米結構光電極有序構建、光電化學特性研究、光生電子-空穴傳輸模型建立、電極摻雜改性等途徑對納米結構WO3光電化學體系進行建立和優(yōu)化，著重研究了納米結構。WO3薄膜電極的制備工藝和相應的光電化學性能，并對其光電化學反應的機理進行了一定程度的探索；

2、此外，對有序納米結構的WO3材料進行非金屬摻雜改性，進一步提高有序WO3納米材料的光電性能，拓展其太陽能應用的潛能，為實現(xiàn)構建穩(wěn)定高效的 WO3半導體電極光電化學體系提供理論依據(jù)和實際參考價值。
　　 首先以偏鎢酸銨為鎢源，聚乙二醇為配位聚合物制備了前驅體溶膠，通過調控PEG含量、熱處理溫度、前驅體溶膠的pH值及選擇不同類型的鍍膜襯底，制備了具有不同晶型的納米結構 WO3薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，以FTO導電玻璃鍍膜在350℃條件下樣品為

3、非晶態(tài)，熱處理溫度高于400℃時為立方相結構的WO3。WO3薄膜晶體隨溫度升高生長越完整，顆粒尺寸相應增大。不同襯底鍍膜影響WO3薄膜的結晶行為，以石英玻璃和石墨片為襯底制得的薄膜為單斜結構WO3。光電化學測試研究發(fā)現(xiàn)，450℃熱處理3 h的樣品載流子濃度值為2.44×1022cm-3，平帶電位為0.06 V(vs.Ag/AgCl)，光電流密度達2.7mA/cm2，光轉化效率最高為0.81％，光電協(xié)同分解水120 min電極仍具有良好的

4、穩(wěn)定性。
　　 其次采用檸檬酸等添加劑對聚合物前驅體法制備WO3半導體光電極的工藝進行改良，研究了檸檬酸對前驅體溶膠性質、WO3薄膜電極形貌結構及其光電性質的影響。由于檸檬酸的羧酸根和W6+絡合作用，前驅體溶膠可穩(wěn)定一個月以上。添加適量的檸檬酸提高了WO3薄膜電極表面的粗糙程度，增大薄膜表面的顆粒尺寸，光吸收能力明顯增強。當檸檬酸與偏鎢酸銨摩爾比為2.0時，WO3薄膜電極在350 nm處的最高效率比未添加檸檬酸的樣品提高14％，

5、光電流密度提高25％。
　　 采用陽極氧化法在不同類型鎢片上制備自組裝納米孔狀WO3電極，重點考察了NH4F電解液濃度、氧化電壓等工藝條件，研究了自組裝納米孔狀WO3電極的形貌、結構晶型以及光電特性，并結合陽極氧化過程的電流-時間曲線，對自組裝納米孔狀WO3的形成機制進行了討論。最佳反應條件為：陽極氧化電壓為50 V，NH4F電解質濃度為0.5wt.％，其形成經(jīng)歷氧化層的形成、納米微孔的形成、納米孔的穩(wěn)定生長及溶解四個階段的演變

6、過程。經(jīng)過450℃熱處理3 h后，電極結構為單斜晶相WO3，且具有沿(002)、(020)和(200)擇優(yōu)生長。光電化學測試結果表明，在340 nm的紫外區(qū)最高光電轉換效率為89.5％，在可見光區(qū)400 nm處的轉化效率達到22.1％。光電流密度在1.6V(vs.Ag/AgCl)下達到5.85 mA/cm2，光轉化效率為1.93％，分別為致密結構電極的4.88和5.41倍。采用三種不同類型鎢片制備的納米孔狀WO3電極均具有良好的光電性能

7、，光電流密度分別為5.85，5.81和5.82 mA/cm2。
　　 為進一步提高自組裝納米孔狀WO3電極對可見光的響應，采用氨氣/氮氣混合氣氛中煅燒自組裝納米孔狀WO3的方法對其進行了氮元素摻雜改性，研究了氮摻雜對納米孔狀WO3電極光電性能的影響。結果表明，制備的氮摻雜納米孔狀WO3主要為取代型氮摻雜，并伴有間隙型氮摻雜，通過調節(jié)熱處理時間可實現(xiàn)摻氮量的控制。氮摻雜后樣品的禁帶寬度為2.42 eV，光響應范圍擴展到550 nm

8、以上的可見光區(qū)域，光電流密度在1.2 V(vs.Ag/AgCl)下達到5.89 mA/cm2，相比未摻雜的樣品光電流密度提高了15％。
　　 最后比較研究了納米晶及納米孔狀WO3光電極的形貌及光電化學性能，并利用階躍光誘導瞬態(tài)光電流法及調制光電流譜等方法研究了兩種不同結構WO3光電極光電動力學過程。初步研究結果表明，在光生電荷轉移過程中，納米孔狀WO3電極空穴轉移的一級反應動力學常數(shù)高于納米晶電極一個數(shù)量級，這主要是由于前者具有