pin型非晶硅太陽能電池的制備與特性的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩76頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、太陽能作為取用不盡的純凈能源,對當(dāng)前能源危機和環(huán)境污染問題正是雪中送炭,開發(fā)利用太陽能電池成為當(dāng)務(wù)之急。降低光伏系統(tǒng)的成本是目前任務(wù)的重中之重,而要降低組件成本最核心的技術(shù)就是降低材料成本。非晶硅薄膜太陽能電池憑借自身優(yōu)異的材料特性和廉價的成本,無疑成為太陽能電池中最有發(fā)展?jié)摿Φ谋∧る姵刂弧?br>  非晶硅薄膜太陽能電池具有如下優(yōu)點:光吸收系數(shù)大,襯底溫度低,耗材少,能沉積在廉價的玻璃襯底上,制作工藝與現(xiàn)有集成電路工藝兼容,適用于大

2、面積生產(chǎn),且容易與建筑材料相結(jié)合,構(gòu)成光伏建筑一體化系統(tǒng)。
  對非晶硅薄膜太陽能電池進行數(shù)學(xué)物理建模,利用一維光電子結(jié)構(gòu)分析模型(AMPS-1D)模擬分析了TCO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metel結(jié)構(gòu)的i層厚度對電池性能的影響,并對i層進行優(yōu)化設(shè)計。采用RF-PECVD法在普通玻璃上沉積非晶硅薄膜材料,結(jié)合蒸鍍、刻蝕等半導(dǎo)體工藝,在透明導(dǎo)電(TCO)玻璃上制備pin結(jié)構(gòu)的單結(jié)非晶硅薄膜太陽能電池樣

3、品,研究了非晶硅薄膜材料及其電池的制備方法、工藝過程和相關(guān)工藝對電池各層薄膜材料性能的影響,重點討論了工藝條件對i層光電特性的影響和i厚度對電池性能的影響。主要的工作總結(jié)如下:
  1)模擬仿真了pin型非晶硅太陽能電池i層厚度對電池性能的影響,獲得了最優(yōu)的器件結(jié)構(gòu),其中,i層厚度500~700nm,電池的轉(zhuǎn)換效率3.4%。
  2)研究了非晶硅薄膜太陽電池各層材料的制備工藝及工藝參數(shù)對材料性能的影響,著重分析了工藝參數(shù)對本

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論