版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領
文檔簡介
1、納米材料形貌和性能的可控成為新階段研究的主旋律。本文以ZnO和ZnS納米材料為研究對象,發(fā)展了簡便、節(jié)能、快速、易于大規(guī)?;a(chǎn)的燃燒法來制備鎂或鎘摻雜的氧化鋅納米材料,并通過摻雜離子的引入來控制ZnO材料的生長和調(diào)節(jié)其光學性能。主要成果如下: 1、通過低溫燃燒的方法來制備(ZnCd)O,發(fā)現(xiàn)Cd在原材料中的加入能夠影響產(chǎn)物的形貌,主要生成半卷曲的帶狀產(chǎn)物。Cd的溶入能夠使晶格發(fā)生一定程度的畸變而使得E2high非極性拉曼模式藍
2、移。5%的Cd摻雜樣品600℃退火后由于固溶Cd濃度較高,從而形成一個更深的能級而發(fā)出大約600nm的橙紅色發(fā)射。1000℃退火后,由于Cd的脫溶析出而生成立方CdO相,而使得得帶邊發(fā)射變成雙峰發(fā)射,可見光區(qū)變成與CdO有關的525nm發(fā)射占統(tǒng)治地位。無論Cd的含量及退火溫度的變化,其帶邊發(fā)光峰沒有出現(xiàn)特別明顯的紅移,這為其以后進一步在紫外發(fā)光二極管,紫外激光器方面的應用研究打下基礎。 2、通過低溫燃燒的方法來制備(ZnMg)O
3、,發(fā)現(xiàn)隨著Mg在原材料中的加入能夠形成卷曲的片狀產(chǎn)物。Mg含量較高時會生成寬帶隙的Zn摻雜的MgO包裹在Mg摻雜的ZnO外面,而使得發(fā)射大大增強。由于帶隙紫外發(fā)射與綠色發(fā)射比例隨激發(fā)強度的增加而增加,意味著與缺陷有關的綠色發(fā)射可能來自近帶邊的淺施主能級到帶雙電荷的氧空位躍遷。另外Mg摻雜能夠使ZnO帶隙發(fā)射峰明顯的藍移,特別是高Mg含量時,不僅能調(diào)節(jié)帶隙,而且更能形成量子限域效應而使得帶邊發(fā)射增強。 3、采用簡單的無催化劑熱蒸發(fā)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 鋅基Ⅱ-Ⅵ族半導體納米材料分級可控生長、形貌和性能調(diào)控.pdf
- 硒化鋅基半導體納米材料的液相法控制制備及其性能研究.pdf
- γ-輻照對半導體納米材料的改性研究.pdf
- 氧化鋅基半導體材料的接曼光譜研究.pdf
- 半導體摻雜納米氧化鋅的研究.pdf
- Ge基Ⅲ-Ⅴ族半導體能源材料生長與性能研究.pdf
- 氧化鋅納米線基半導體薄膜的制備及其特性.pdf
- 銅基半導體納米材料的液相合成、性能及生長機理研究.pdf
- ZnO基納米稀磁半導體及CdS納米半導體的制備與性能研究.pdf
- 10686.銀銀基半導體納米復合材料的可控生長及性能研究
- 半導體納米材料的制備與性能研究.pdf
- 氧化鋅半導體納米材料的可控合成及性能研究.pdf
- GaAs基和InP基化合物半導體材料MBE生長與特性的研究.pdf
- 氧化鋅基半導體材料電子陷阱形成及性能研究.pdf
- 過渡元素摻雜納米鋅基半導體材料的合成及摻雜行為對光-磁特性影響研究.pdf
- 氧化鋅基稀磁半導體的磁性研究.pdf
- 鎢基納米半導體材料的制備及催化性能研究.pdf
- 有機分子輔助的半導體納米材料的控制合成與性能研究.pdf
- 硫族半導體納米材料的可控制備與性能研究.pdf
- 硅基半導體上氧化鋅薄膜的研究.pdf
評論
0/150
提交評論