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文檔簡(jiǎn)介
1、自1972年半導(dǎo)體光催化技術(shù)報(bào)道以來(lái),由于其在清潔能源及環(huán)境污染控制等方面良好的潛在應(yīng)用,吸引了人們的廣泛關(guān)注。由于具有原料來(lái)源廣泛、價(jià)格低廉、催化效率相對(duì)較高等優(yōu)點(diǎn),ZnO是研究非常廣泛的一種半導(dǎo)體光催化劑。然而,較低的太陽(yáng)能利用率,尤其是很低的量子效率因素也限制ZnO半導(dǎo)體光催化技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。
在本論文的工作中,首先采用溶劑熱法制備了單晶ZnO納米線(xiàn),然后通過(guò)光聚合反應(yīng)及高溫?zé)岱磻?yīng)制備了碳包覆ZnO納米線(xiàn),并研究了其光催
2、化性能和光催化機(jī)理。在此基礎(chǔ)上,制備了碳包覆ZnO納米線(xiàn)/聚苯乙烯復(fù)合膜,并考察了太陽(yáng)能驅(qū)動(dòng)固相光降解性能。主要結(jié)論如下:
(1)采用聚乙烯醇輔助溶劑熱法制備的單晶ZnO納米線(xiàn)形貌均勻,直直徑約為40~60nm,長(zhǎng)度可達(dá)2μm。
(2)以ZnO納米線(xiàn)、低濃度苯酚水溶液為原料,通過(guò)光聚合反應(yīng)制備聚苯酚化合物包覆的ZnO納米線(xiàn),再以ZnO納米線(xiàn)表面均勻包覆的聚苯酚化合物作為碳源,通過(guò)熱解反應(yīng)制備了碳包覆ZnO納米線(xiàn)復(fù)合光
3、催化劑。結(jié)果表明,表面石墨化碳包覆改性ZnO納米線(xiàn)不僅提高了對(duì)污染物的吸附能力,同時(shí)也提高其太陽(yáng)光催化活性及抗“光蝕”性能。在太陽(yáng)光照射下,碳包覆ZnO納米線(xiàn)降解亞甲基藍(lán)(MB)的光催化活性約為未改性ZnO納米線(xiàn)的8倍。
(3)采用溶液混合法,制備了ZnO納米線(xiàn)/聚苯乙烯及碳包覆ZnO納米線(xiàn)/聚苯乙烯復(fù)合膜。與ZnO納米線(xiàn)/聚苯乙烯復(fù)合膜相比,碳包覆ZnO納米線(xiàn)/PS復(fù)合膜不僅具有較優(yōu)的力學(xué)性能,同時(shí)也具有更好的太陽(yáng)光驅(qū)動(dòng)固相
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