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1、硅單晶是制造IC集成電路和太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵材料,隨著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,中國(guó)將成為僅次于美國(guó)的世界第二大半導(dǎo)體市場(chǎng)。目前國(guó)內(nèi)單晶硅的產(chǎn)量?jī)H為需求量的6%,中國(guó)的產(chǎn)量只占了世界產(chǎn)量的1%。直拉單晶爐是制備硅單晶的主要設(shè)備,目前極其緊缺的大直徑硅單晶都是國(guó)外全自動(dòng)單晶爐生產(chǎn)的?;贑CD的直徑測(cè)量技術(shù)是全自動(dòng)單晶爐的核心技術(shù),而該技術(shù)一直被國(guó)外幾家公司所壟斷。國(guó)內(nèi)目前使用的半自動(dòng)單晶爐采用的紅外間接測(cè)量直徑技術(shù)無(wú)法獲得晶體的真實(shí)直徑,
2、從而不能完成整個(gè)拉晶過(guò)程的全自動(dòng)控制,這就造成了該技術(shù)生產(chǎn)效率低,而且生產(chǎn)出的晶體等徑質(zhì)量差,遠(yuǎn)不能滿足目前市場(chǎng)對(duì)大直徑晶體的需求。本論文研究的是基于圖像處理的單晶直徑測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)可整體提高單晶體尤其是大直徑單晶體的制造水平,滿足了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工業(yè)市場(chǎng)對(duì)單晶體的快速需求,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,打破了國(guó)外技術(shù)與產(chǎn)品的市場(chǎng)壟斷。 直徑測(cè)量系統(tǒng)采用雙CCD結(jié)構(gòu)。兩個(gè)不同焦距的CCD攝像頭透過(guò)隔熱設(shè)施俯拍單晶,分別捕獲引晶和等徑階段的單晶生
3、長(zhǎng)圖像,圖像采集卡將模擬圖像信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào),通過(guò)中值濾波進(jìn)行圖像預(yù)處理以減少邊緣模糊現(xiàn)象,采用Sobel邊緣檢測(cè)算子和輪廓跟蹤識(shí)別技術(shù)快速的進(jìn)行邊緣粗定位,最后應(yīng)用亞像素邊緣檢測(cè)技術(shù)精確獲取單晶體的邊緣位置。通過(guò)編制算法實(shí)現(xiàn)引晶過(guò)程的晶體圖像自動(dòng)跟蹤和等徑過(guò)程的非完整圓直徑測(cè)量,獲得硅單晶的真實(shí)直徑用于實(shí)現(xiàn)整個(gè)拉晶過(guò)程的全自動(dòng)控制。 論文共分為五章: 第一章為緒論,介紹了課題的研究意義、目的及相關(guān)的知識(shí)。 第
4、二章為圖像測(cè)量系統(tǒng)硬件的構(gòu)成,介紹了CCD攝像頭、鏡頭、圖像采集卡等部件的工作過(guò)程、選取原則和方法。 第三章為圖像分析和計(jì)算。CCD攝像頭捕獲硅單晶生長(zhǎng)圖像信號(hào),由圖像采集卡采集后,通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換量化為數(shù)字信號(hào)。運(yùn)用圖像處理技術(shù)對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行分析和計(jì)算,以及圖像跟蹤技術(shù)實(shí)現(xiàn)引晶過(guò)程的晶體圖像跟蹤,采用不完整圓算法對(duì)等徑過(guò)程晶體直徑進(jìn)行測(cè)量。 第四章為圖像測(cè)量系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)。在ViSU8l C++6.0環(huán)境下,應(yīng)用圖像采集卡
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