碳化硅單晶微管道缺陷研究.pdf

1、SiC晶體被稱為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙，高擊穿電場(chǎng)，高飽和電子漂移速度和高導(dǎo)熱性，是制作高溫度，高功率，高頻率和低損耗器件的良好材料。微管道是目前影響SiC晶體材料質(zhì)量重要缺陷，因此SiC晶體微管道的測(cè)量和表征既是我國(guó)正處于起步階段的SiC晶體材料研究工作的一部分，又對(duì)促進(jìn)我國(guó)SiC晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)研究和生產(chǎn)具有重要意義。
　　 本文著重研究了SiC晶體微管道測(cè)量的兩種方法，即KOH腐蝕法和不腐蝕測(cè)試法，并對(duì)方法及其

2、測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比較分析，實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC單晶微管道缺陷這一表征SiC單晶質(zhì)量的重要參數(shù)的快速準(zhǔn)確的測(cè)量。論文建立了一套用熔融KOH腐蝕法測(cè)量SiC晶體微管道密度和位錯(cuò)密度的方法；首次提出并建立SiC晶體微管道密度測(cè)量的非破壞方法。單晶生長(zhǎng)方法以及生長(zhǎng)技術(shù)水平等因素使得目前SiC單晶片的價(jià)格還很昂貴，熔融KOH腐蝕法會(huì)嚴(yán)重腐蝕被測(cè)晶片，腐蝕后晶片既無法用于生產(chǎn)也無法用于其它測(cè)試。而本文的非破壞方法克服了這一點(diǎn)，這對(duì)于昂貴的SiC晶體材料有著突出