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文檔簡介
1、SiC晶體被稱為第三代寬禁帶半導體材料,具有寬帶隙,高擊穿電場,高飽和電子漂移速度和高導熱性,是制作高溫度,高功率,高頻率和低損耗器件的良好材料。微管道是目前影響SiC晶體材料質量重要缺陷,因此SiC晶體微管道的測量和表征既是我國正處于起步階段的SiC晶體材料研究工作的一部分,又對促進我國SiC晶體材料生長技術研究和生產具有重要意義。
本文著重研究了SiC晶體微管道測量的兩種方法,即KOH腐蝕法和不腐蝕測試法,并對方法及其
2、測量結果進行比較分析,實現(xiàn)對SiC單晶微管道缺陷這一表征SiC單晶質量的重要參數(shù)的快速準確的測量。論文建立了一套用熔融KOH腐蝕法測量SiC晶體微管道密度和位錯密度的方法;首次提出并建立SiC晶體微管道密度測量的非破壞方法。單晶生長方法以及生長技術水平等因素使得目前SiC單晶片的價格還很昂貴,熔融KOH腐蝕法會嚴重腐蝕被測晶片,腐蝕后晶片既無法用于生產也無法用于其它測試。而本文的非破壞方法克服了這一點,這對于昂貴的SiC晶體材料有著突出
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