硫化錫和硒化錫納米晶的溶劑熱法合成及表征.pdf

1、本論文把溶劑熱技術(shù)拓展到新穎形貌的微米管、納米帶及納米片的生長(zhǎng)，分析了晶體的形成機(jī)理。通過(guò)透射電鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、X射線衍射儀、X射線能譜儀、紫外-可見光譜儀對(duì)合成的納米/微米晶進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征分析與光學(xué)性能測(cè)試。主要工作如下： 利用離子交換反應(yīng)，以Na2S為硫源，在乙二醇溶劑熱條件下大規(guī)模生長(zhǎng)出了SnS納米帶。納米帶的寬度為50-300nm，長(zhǎng)度達(dá)6μm。結(jié)構(gòu)分析表明，所合成的SnS納米帶均為單晶，擇優(yōu)的生長(zhǎng)方向?yàn)閇001]。

2、乙二醇溶劑對(duì)納米帶的生長(zhǎng)有決定作用。 利用溶劑的堿性、配位能力對(duì)反應(yīng)途徑的影響，采用原位聚合物模板輔助生長(zhǎng)溶劑熱法在較低溫度下制備了SnS管狀微米晶。以硫脲為硫源，乙二胺為溶劑，并以聚丙烯酰胺作分散劑，所得產(chǎn)物主要是孔徑為0.4～0.8μm，長(zhǎng)度為幾到十幾微米的六面體管狀微米晶。聚丙烯酰胺凝膠對(duì)管狀微米晶的生長(zhǎng)有指導(dǎo)作用。 以乙二醇輔助乙二胺溶劑熱法，以氯化亞錫和亞硒酸鈉為反應(yīng)物，在180℃反應(yīng)3h合成出了厚度約為30n