基于I-,DDT-的BIST測(cè)試向量生成器的研究.pdf

1、集成電路測(cè)試技術(shù)是生產(chǎn)高性能集成電路的關(guān)鍵。由于CMOS集成電路中的故障和制造缺陷是多種多樣的，其中有些故障既不能被電壓測(cè)試也不能被穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試方法檢測(cè)出來(lái)。90年代中期，人們提出了瞬態(tài)電流測(cè)試的概念，企圖通過(guò)觀察和分析電路在其內(nèi)部狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)所產(chǎn)生的瞬態(tài)電流，來(lái)發(fā)現(xiàn)某些不被電壓測(cè)試和穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試所能發(fā)現(xiàn)的故障，提高產(chǎn)品質(zhì)量。 隨著現(xiàn)代設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)的發(fā)展，外部測(cè)試變的越來(lái)越不適應(yīng)。一方面外部測(cè)試需要專門的測(cè)試工具；另一方面測(cè)

2、試向量的生成比較困難，測(cè)試集的向量數(shù)也很多，測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)。內(nèi)建自測(cè)試的方法由于測(cè)試迅速有效而逐漸受到人們的重視。 根據(jù)已有的研究成果，我們發(fā)現(xiàn)瞬態(tài)電流測(cè)試中的測(cè)試向量對(duì)絕大多數(shù)只有1～2位不同。本文設(shè)計(jì)了一種用于瞬態(tài)電流測(cè)試的BIST測(cè)試向量生成器。該向量生成器對(duì)瞬態(tài)電流測(cè)試向量對(duì)中的第一個(gè)測(cè)試向量隨機(jī)生成，第二個(gè)測(cè)試向量通過(guò)對(duì)第一個(gè)測(cè)試向量的1～2位隨機(jī)取反得到。然后，這兩個(gè)向量組成一對(duì)測(cè)試向量施加到被測(cè)電路。實(shí)驗(yàn)表明，該方法能

3、以較少的測(cè)試向量得到較高的故障覆蓋率。 由于瞬態(tài)電流測(cè)試需要一對(duì)測(cè)試向量，已提出的用于瞬態(tài)電流測(cè)試的內(nèi)建自測(cè)試方法都存在生成的測(cè)試向量序列長(zhǎng)，測(cè)試時(shí)間開(kāi)銷大的問(wèn)題。本文在分析了瞬態(tài)電流測(cè)試向量的特點(diǎn)后，設(shè)計(jì)了一種新的用于瞬態(tài)電流測(cè)試的內(nèi)建自測(cè)試方法。該方法把用于瞬態(tài)電流測(cè)試的一對(duì)測(cè)試向量轉(zhuǎn)換成一個(gè)一維的測(cè)試向量，并采用多項(xiàng)BIST的方法進(jìn)行生成。測(cè)試生成后，再將一維的測(cè)試向量轉(zhuǎn)換成瞬態(tài)電流測(cè)試需要的測(cè)試向量對(duì)施加到被測(cè)電路。實(shí)驗(yàn)