時(shí)延故障測(cè)試產(chǎn)生算法與I-,DDT-測(cè)試實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、隨著集成電路設(shè)計(jì)與加工技術(shù)的飛速發(fā)展，測(cè)試作為IC 產(chǎn)業(yè)中一個(gè)極為重要的環(huán)節(jié)，變得越來(lái)越困難。特別是進(jìn)入深亞微米發(fā)展階段以來(lái)，通過(guò)集成各種IP 核，系統(tǒng)級(jí)芯片的功能更加強(qiáng)大，同時(shí)也帶來(lái)了一系列的測(cè)試問(wèn)題。 工業(yè)界常采用電壓測(cè)試和穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試方法來(lái)測(cè)試數(shù)字CMOS IC。電壓測(cè)試的方法比較簡(jiǎn)單，速度快，它對(duì)于檢測(cè)固定型故障是有效的，但對(duì)于檢測(cè)CMOS工藝中的其他類(lèi)型故障則顯得有些不足。20 世紀(jì)80 年代初，人們提出了用測(cè)量CMO

2、S 電路穩(wěn)態(tài)電流的方法來(lái)測(cè)試集成電路，但隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，這種方法的局限性也暴露出來(lái)，如測(cè)試速度慢、故障與正常電流的差別變小等。 90 年代中期，人們提出了瞬態(tài)電流測(cè)試的方法，試圖通過(guò)分析正常電路和故障電路在兩次穩(wěn)定狀態(tài)之間電流變化過(guò)程的不同來(lái)發(fā)現(xiàn)一些其他測(cè)試方法所不能發(fā)現(xiàn)的故障，以進(jìn)一步提高故障覆蓋率。本文在瞬態(tài)電流測(cè)試已有算法的基礎(chǔ)上，針對(duì)門(mén)時(shí)延故障模型，提出了一種基于3 個(gè)向量的測(cè)試產(chǎn)生算法。實(shí)驗(yàn)表明產(chǎn)生的向量能有效

3、的檢測(cè)時(shí)延故障。 為了進(jìn)一步驗(yàn)證瞬態(tài)電流測(cè)試方法的理論，本文著手對(duì)具體電路的瞬態(tài)電流進(jìn)行測(cè)量。對(duì)給定電路C432 的3 個(gè)特定故障：168 點(diǎn)開(kāi)路故障、444 點(diǎn)固定為1的故障以及264 點(diǎn)時(shí)延故障，對(duì)其作測(cè)試產(chǎn)生，把產(chǎn)生的向量施加到電路原始輸入端，并嘗試著在實(shí)驗(yàn)電路板上測(cè)量電路電源電流的值，從而期望通過(guò)實(shí)驗(yàn)的方法來(lái)指導(dǎo)理論研究工作。 可測(cè)性設(shè)計(jì)是現(xiàn)代電路測(cè)試中的一種重要方法。本文實(shí)現(xiàn)了一種基于自反饋的測(cè)試向量產(chǎn)生方法，