高性能磁控濺射靶槍的設(shè)計.pdf

1、自從20世紀(jì)70年代早期磁控濺射技術(shù)誕生以來,磁控濺射技術(shù)在高速率沉積金屬、半導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜方面已取得了巨大的進步。在磁控濺射生產(chǎn)過程中特別關(guān)注靶材利用率、沉積速率以及濺射過程穩(wěn)定性等方面的問題,解決這些問題根本在于整個系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計,而靶的設(shè)計則是其中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。國外在靶的分析和設(shè)計方面優(yōu)勢明顯,已經(jīng)實現(xiàn)專業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化；國內(nèi)針對該方面的研究還比較少,企業(yè)也基本處于購買和仿制階段,因此對于相關(guān)問題的研究將具有重要的學(xué)術(shù)和實踐價值。本文主

2、要討論以下幾個方面的問題： 1.研究現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜的相關(guān)理論和實驗中經(jīng)常遇到的問題,討論了靶材刻蝕不均勻、薄膜沉積速率較低和均勻性不好等問題,提出了相應(yīng)的解決思路和方法,即可根據(jù)電磁場的分布來判斷設(shè)計結(jié)構(gòu)是否合理。 2.通過磁場的有限元模擬,系統(tǒng)分析了磁軛、內(nèi)外磁極高度差、導(dǎo)磁片等結(jié)構(gòu)設(shè)計及參數(shù)設(shè)置對靶面磁場分布的影響。根據(jù)模擬結(jié)果,有針對性的調(diào)節(jié)各個結(jié)構(gòu)參數(shù),從不同角度優(yōu)化靶面磁場分布,最終通過調(diào)整導(dǎo)磁片和內(nèi)外磁極