碳-碳復(fù)合材料抗氧化涂層水熱電沉積新技術(shù)研究.pdf

1、陜西科技大學(xué)碩士學(xué)位論文碳碳復(fù)合材料抗氧化涂層水熱電沉積新技術(shù)研究姓名：鄧飛申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：黃劍鋒20070509涂敷玻璃層后的涂層C／C試樣在1500。C的風(fēng)洞(風(fēng)速1907m／s)中氧化58h后，失重僅為1466％。采用水熱電解方法在C／C基體表面制備硅酸釔涂層，主要研究了水熱電解溫度和電流密度特別是電解液pH值對(duì)涂層結(jié)構(gòu)的影響，對(duì)涂層的結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)試并分析了涂層的沉積機(jī)理。初步在C／CSiC基體表面制備

2、硅酸釔涂層，分析表征了涂層的結(jié)構(gòu)和結(jié)合強(qiáng)度以及抗氧化性能。結(jié)果表明：當(dāng)電解液pH值為15—25、水熱電解溫度為150—250℃、電流密度為O5—15A／era2時(shí)，在C／C基體表面制備的涂層包含Y2Si05、Y2Si207和Y4Si3012三種晶相，涂層的結(jié)合力為58—93MPa。同樣條件下在C／CSiC基體表面獲得的涂層由針片狀硅酸釔晶體構(gòu)成，涂層的結(jié)合力可達(dá)15MPa左右，涂層C／C試樣在1500℃靜態(tài)氧化下可以被有效保護(hù)5h左右。

3、采用聲化學(xué)沉淀法制備硅酸釔粉體，主要研究了起始溶液組成、溫度和礦化劑含量對(duì)制各粉體結(jié)構(gòu)的影響。配置了電導(dǎo)率高且分散穩(wěn)定的硅酸釔懸浮液，采用水熱電泳沉積法在C／CSiC基體表面制備Y2Si05Y2si207復(fù)相外涂層，重點(diǎn)研究了電場(chǎng)強(qiáng)度和水熱電泳溫度對(duì)涂層的影響，分析表征了涂層的結(jié)合強(qiáng)度和抗氧化性能。結(jié)果表明：控制起始溶液體系中Y：Si：OH(摩爾比)分別為4：2：8、4：3：6和4：4：4，礦化劑LiF的含量分別為25％、25％和15％