P-GaN與ITO歐姆接觸的研究.pdf

1、本論文針對(duì)GaN基發(fā)光二極管中P-GaN與透明導(dǎo)電薄膜ITO的接觸進(jìn)行研究，嘗試找出透明導(dǎo)電層ITO的優(yōu)化制程條件。將ITO蒸發(fā)時(shí)氧流量、ITO厚度及退火溫度制備的的透明電極ITO薄膜應(yīng)用于GaN基發(fā)光二極管，來增加電流擴(kuò)展，減小ITO與P-GaN歐姆接觸電阻，降低LED工作電壓及提高透過率、增強(qiáng)LED發(fā)光亮度。
　　本研究中，所采用的ITO薄膜是利用蒸發(fā)系統(tǒng)進(jìn)行沉積生長(zhǎng)。針對(duì)所得薄膜進(jìn)行光學(xué)與電性分析，通過L18正交試驗(yàn)優(yōu)化IT

2、O薄膜的蒸發(fā)及退火參數(shù)，包括蒸發(fā)溫度、蒸發(fā)速率、氧流量、ITO厚度、退火溫度、N2流量和退火時(shí)間，得到優(yōu)化參數(shù)為：襯底溫度320℃，沉積速率6nm/min，氧流量30sccm，ITO厚度200nm，退火溫度400℃，N2流量15L/min，退火時(shí)間30min，此條件下制得較好光電特性的ITO透明導(dǎo)電薄膜，ITO方塊電阻大約為12Ω/□，透光率達(dá)到95％以上。
　　本論文將ITO薄膜應(yīng)用于218μm×363μm GaN基發(fā)光二極管L