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文檔簡介
1、該論文系統(tǒng)分析了國內(nèi)外GaN材料制備和器件應(yīng)用的研究歷史和現(xiàn)狀,重點(diǎn)對GaN薄膜材料和相關(guān)器件進(jìn)行了研究.具體工作是對金屬與n型GaN的歐姆接觸進(jìn)行了研究,并在此基礎(chǔ)上制備了基于GaN上的紫外探測器和肖特基二極管.具體工作如下:1、研究了A1單層及Ti/Al雙層電極與n型Si基GaN和Al<,2>O<,3>基GaN在不同退火條件下的歐姆接觸情況,并用X射線衍射譜(XRD),二次離子質(zhì)譜(SIMS)對界面固相反應(yīng)進(jìn)行了分析.基于傳輸線模型
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