非晶InSb控測(cè)器材料光電特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、和晶態(tài)InSb材料相比，非晶a-InSb材料具有成本低，制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。但是目前國(guó)內(nèi)外還缺乏非晶態(tài)半導(dǎo)體材料全面和詳盡的研究。本文開(kāi)展了a-InSb薄膜制備、表征和氫鈍化方面的研究工作。
　　 本論文根據(jù)非晶態(tài)薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理，利用磁控濺射的方法制備出a-InSb薄膜。采用X射線衍射儀、X射線能譜儀、掃描電鏡等手段a-InSb薄膜的結(jié)構(gòu)、組分和表面特性進(jìn)行了表征，分析了工藝參數(shù)對(duì)結(jié)構(gòu)、組分和形貌的影響，我們已獲得了表面形貌很好

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