一種瞬態(tài)響應(yīng)增強型片上電容LDO的研究與設(shè)計.pdf

1、近年來，由于各種便攜式電子產(chǎn)品的普及，電池供電的電源管理類芯片需求量不斷增大，對電源管理類芯片性能的要求也不斷提高。本文從電源管理的角度出發(fā)，深入調(diào)研了低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的應(yīng)用與特性。傳統(tǒng)LDO穩(wěn)壓器作為一塊獨立的芯片，需要uF量級的大輸出電容，目前的集成電路工藝要集成uF量級的電容需要非常大的面積，難于實現(xiàn)SoC(System on Chip)的解決方案。
　　 本文針對集成于SoC的特定應(yīng)用要求，分析了片上電容LDO在穩(wěn)

2、定性、瞬態(tài)響應(yīng)特性上所面臨的挑戰(zhàn)，在此基礎(chǔ)上，為實現(xiàn)一種瞬態(tài)響應(yīng)增強型、自穩(wěn)定的片上LDO而提出了一種新穎、有效的快速瞬態(tài)響應(yīng)補償通路，在實現(xiàn)瞬態(tài)響應(yīng)補償?shù)耐瑫r，很好地實現(xiàn)了頻率補償，能夠保證片上LDO在整個負載電流變化范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。通過控制功率管在drop-out臨界條件時工作在線性區(qū)，有效減小了LDO的drop-out電壓。電路采用0.35μm CMOS工藝設(shè)計，輸出電壓為2.8V，輸出電容為100pF，可輸出最大50mA的電流，