強磁場下AZ91合金固態(tài)相變行為研究.pdf

1、上海交通大學博士學位論文強磁場下AZ91合金固態(tài)相變行為研究姓名：勵志峰申請學位級別：博士專業(yè)：材料加工工程指導教師：盧晨曾小勤20081101上海交通大學博士學位論文摘要致晶界遷移驅動力對晶界遷移的影響小，但金屬內原子擴散加快，晶界遷移速度較常規(guī)條件下的速度快。對磁場下鎂合金非連續(xù)析出形核機制的討論表明，隨靜磁場強度的增強，基于F丁類形核機制的非連續(xù)析出胞形核率減小。非連續(xù)析出胞在靜磁場下以FC類形核機制形成時，移動晶界克服晶界上析出

2、物拖曳而弓出形成非連續(xù)析出胞的條件為：一堂生坐一2：—2si—n0吒，一y，L靜磁場強度較弱時，合金中原子擴散減慢起主導作用，基于FC類形核機制的非連續(xù)析出胞形核率減小。靜磁場增強時，不同取向晶粒問的磁化功差(甜贏)增大，基于FC類形核機制的非連續(xù)析出胞形核率回升。交變磁場磁場強度小，不同取向晶粒間的磁化能差小，但交變磁場下原子擴散及晶界遷移均加快，基于Pr機制及FC機制的非連續(xù)析出胞形核率均增大。對MgAI二元擴散偶界面中間相層生長動

3、力學的研究表明，靜磁場、交變磁場下MgAI二元擴散偶在熱處理后形成的界面中間相層結構與常規(guī)條件下形成的中間相層結構相同，均為Mgl7AIl2及A13M92界面中間相層。不同熱處理條件下界面中間相層的生長都符合拋物線規(guī)律。與常規(guī)條件下的情況相比，施加靜磁場或交變磁場對界面中間相層的生長激活能影響小，但靜磁場減小了界面中間相層的生長常數(shù)，使中間相層的生長速度減慢；變磁場下界面中間相層的生長常數(shù)增大，中間相層的生長加快。這證明強靜磁場減慢Mg