LED用砷化鎵拋光片表面狀態(tài)研究.pdf

1、砷化鎵(GaAs)材料是目前生產量最大、應用最廣泛，因而也是最重要的化合物半導體材料，是僅次于硅的最重要的半導體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結構，使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿ΑＤ壳吧榛壊牧系南冗M生產技術仍掌握在日本、德國以及美國的國際大公司手中，與國外公司相比國內企業(yè)在砷化鎵材料生產技術方面還有較大差距。發(fā)光二極管(LED)是砷化鎵材料的重要應用領域之一，在國際半導體照明產業(yè)發(fā)展方興未艾之際，研究LED用砷化

2、鎵材料生產的相關技術無疑具有重要意義。
　　 本論文詳細介紹了砷化鎵材料的物理化學性質及其制造方法，在此基礎上專門探討了針對LED應用的砷化鎵拋光片的制備方法以及相關的技術問題，采用金相顯微鏡、X光電子能譜、二次離子質譜以及PL譜等多種測試手段對砷化鎵拋光片加工各個階段的質量情況進行分析，從而為改進加工工藝、提高產品質量提供了重要的參考。
　　 通過改進線切割技術改善了砷化鎵拋光片的翹曲度，通過拋光和清洗技術的改進提高了