砷化鎵PIN二極管工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在大功率發(fā)射的電子系統(tǒng)中,為了防止高靈敏接收機前置低噪聲放大器(LNA)被發(fā)射的泄漏功率燒毀,需要在前置低噪聲放大器前面安置PIN二極管限幅器,通過控制PIN二極管的工作狀態(tài),在高功率的微波信號通過限幅器時被衰減到較低的功率電平,而小功率微波信號則以較小的插損順利通過。 砷化鎵材料在各種高速模擬應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢,而且砷化鎵具有比硅更寬的禁帶寬度,因此有更好的抗輻射和抗干擾能力。砷化鎵PIN二極管是砷化鎵PIN限幅器單片

2、電路的主要組成部分,良好的PIN二極管器件性能和較高的可靠性是整個芯片電路的關(guān)鍵。 本論文討論了PIN二極管的工作原理和工藝實現(xiàn)方法,通過對GaAs摻雜、N型和P型GaAs歐姆接觸、臺面形成工藝的研究,最終采用了以MOCVD外延生長的GaAs外延材料制作PIN二極管,臺面采用磷酸系腐蝕液用濕法腐蝕的方法形成,N型歐姆接觸金屬和P型歐姆接觸金屬分別采用AuGeNi/Au和Ti/Pt/Au。 通過以上工藝技術(shù)開發(fā),配合現(xiàn)有G

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