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文檔簡介
1、隨著硅基電子器件的小型化，一維硅基材料的研究備受矚目。在本論文中，通過簡單有效的方法制備出β—SiC納米線和氧化硅微米“O”形結(jié)等一維硅基材料，并對其生長機理進行研究。此外還利用非晶二氧化硅納米線為模板，制備得到了開口碳納米管。 不引入金屬催化劑，直接加熱單晶硅片、石墨舟和木炭粉等塊體材料制備得到β—SiC納米線，直徑在10～30納米左右，長度達(dá)幾個毫米。β—SiC納米線具有兩種不同的結(jié)構(gòu)：一種為純單晶β—SiC納米線，它是在高
2、溫(保溫)過程中形成的；另一種為單晶β—SiC/非晶SiO2伴生的納米線，它是在低溫(降溫)過程中形成的。β—SiC納米線的生成機制可以用“多重反應(yīng)的氣-固”模型來解釋。 利用熱蒸發(fā)覆蓋有微米鐵顆粒的硅片的方法，首次得到了大量毫米長度的非晶氧化硅微米線和非晶氧化硅微米線的“O”形結(jié)，試驗方法簡單而有效。非晶氧化硅微米線遵循“固-液-固”的成線機制。“O”形結(jié)的形成在于Fe—Si液滴中形核點的分分合合。非晶氧化硅微米線的“O”形結(jié)
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