顆粒膜巨磁電阻效應(yīng)的修正理論及其應(yīng)用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、顆粒膜的巨磁電阻(GMR)或隧穿磁電阻(TMR)在信息工業(yè)具有潛在的應(yīng)用和對自旋電子學(xué)的建立具有重要的促進(jìn)作用,因此引起廣泛的關(guān)注.在本論文研究中,修正了兩類顆粒膜巨磁電阻的唯象理論,旨在揭示高巨磁電阻效應(yīng)、高靈敏度的顆粒膜的本征條件.在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了不同合金化的鐵磁性顆粒和不同基體組成的顆粒膜,即鐵磁金屬(FeCo,FeNi)-非鐵磁金屬(Cu)型(FM-M)和鐵磁金屬(FeCo,CoNi)-絕緣體(Al<,2>O<,3>,SiO<

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