Co-ITO多層膜的巨磁電阻效應及Fe-Cr雙層膜的磁學與磁電阻效應.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文簡單介紹了半導體自旋電子學和磁電阻效應的一些研究進展，分析了幾種常見的巨磁電阻效應系統(tǒng)。實驗以ITO作為非磁層，采用磁控濺射技術(shù)制備了系列Co/ITO多層膜和用離子束濺射方法制備了Fe/Cr雙層膜等多種磁性薄膜樣品。 本論文通過磁控濺射法制作了的Co/ITO多層膜系列樣品，詳細介紹了樣品的制備、結(jié)構(gòu)表征和測量過程。用振動樣品磁強計(VSM)測量樣品的磁性；用微電阻測試系統(tǒng)對樣品在不同溫度下的磁電阻等相關特性測量。系統(tǒng)地研究

2、了磁電阻效應隨溫度的變化關系及其影響機制。室溫下在非磁性層ITO的厚度為2nm的樣品中巨磁電阻值為1.8％.在12.5 K時，巨磁電阻值為4.3％.我們認為Co/ITO多層膜樣品中GMR效應來源于相鄰磁性層的反鐵磁性耦合。同時測量了巨磁電阻值隨溫度的變化關系，發(fā)現(xiàn)GMR值在低溫下接近于一個常數(shù)值，在較高的溫度到室溫之間，隨溫度的升高而近線性的下降. 本論文通過離子束濺射的方法制作了Fe/Cr雙層膜系列樣品，系統(tǒng)的討論了雙層膜由于

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