基于模擬退火算法的接近式紫外光刻誤差修正的研究.pdf

1、接近式紫外光刻是UV-LIGA工藝的關(guān)鍵工藝之一。紫外光準(zhǔn)直性低，而且存在衍射效應(yīng)，在光刻過程中，由于間隙的存在，使得衍射效應(yīng)明顯，從而造成在光刻圖形轉(zhuǎn)移的過程中，得到的圖形在二維的形狀上有偏差。針對曝光形狀失真問題，本文采用波前分割的方法對掩模圖形上的波前進(jìn)行區(qū)域劃分，并利用光場相干疊加相互抵消的性質(zhì)，最終得到了掩模圖形上對場點(diǎn)光場影響最大的波前區(qū)域，并得到了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。應(yīng)用模擬退火算法對掩模特征處進(jìn)行局部優(yōu)化，在保證優(yōu)化效果的基礎(chǔ)上，

2、使優(yōu)化過程大大簡化。論文的主要工作可以分為以下幾個(gè)部分：
　　 1.基于模擬退火算法的逆向光刻模型
　　 本文采用了反向光刻技術(shù)，將掩模版設(shè)計(jì)問題考慮成為一個(gè)逆向問題，并通過對整個(gè)掩模版圖形設(shè)計(jì)區(qū)域進(jìn)行計(jì)算來求解。求解過程不受目標(biāo)圖案復(fù)雜度的影響，只受光學(xué)系統(tǒng)的相關(guān)性質(zhì)的影響，目標(biāo)圖案在求解過程中只是作為收斂的判據(jù)。由于逆向算法理論上可以遍歷完整的掩模版圖形函數(shù)解空間，因此存在著找到全局最優(yōu)解的可能性。采用模擬退火算法作

3、為逆向算法，把退火系統(tǒng)最低能量穩(wěn)態(tài)的求解問題和使目標(biāo)函數(shù)最小化的優(yōu)化掩模版圖形的求解問題統(tǒng)一起來，實(shí)現(xiàn)了逆向掩模版圖形的設(shè)計(jì)與優(yōu)化。
　　 2.掩模有效影響區(qū)域的選取
　　 為了解決早期的模擬退火算法在目標(biāo)圖形比較復(fù)雜的情況下，收斂效率和優(yōu)化結(jié)果精度方面都不甚理想的問題，通過對衍射光場的有效波前作用規(guī)律分析，得出圖形中有效影響區(qū)域，并經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。最后修正僅在有效影響區(qū)域內(nèi)進(jìn)行，這樣可以在保證優(yōu)化結(jié)果精度的情況下大大的縮