染料敏化納米晶-微晶硅薄膜復(fù)合太陽(yáng)電池的能帶調(diào)控.pdf

1、　　本文主要針對(duì)全固態(tài)染料敏化納米晶/微晶硅薄膜復(fù)合太陽(yáng)電池內(nèi)光生電子空穴分離、遷移和復(fù)合抑制機(jī)理做了研究。通過(guò)摻雜研究染料敏化納米晶多孔膜覆合微晶硅層的微結(jié)構(gòu)控制、能帶調(diào)控，強(qiáng)化界面電荷遷移，抑制膜內(nèi)電子空穴的復(fù)合。這種新型復(fù)合薄膜太陽(yáng)電池利用納米晶多孔工作電極的多數(shù)載流子傳輸不強(qiáng)調(diào)對(duì)二氧化鈦納米晶結(jié)構(gòu)的完整性以獲得高光電轉(zhuǎn)化效率低成本電極，同時(shí)又吸取了P型微晶硅薄膜成熟穩(wěn)定的特性，是新結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池研究的創(chuàng)新性探索。
　　文章

2、從建立染料敏化納米晶/微晶硅薄膜復(fù)合太陽(yáng)電池電池等效電路切入，建立電容、電阻、光電流等與摻雜濃度之間的關(guān)系。而后分別利用不同離子摻雜微晶硅與二氧化鈦，在保證能級(jí)匹配的原則下，考察其帶隙、電子結(jié)構(gòu)等光電特性。最后模擬仿真了電阻等參量的變化所帶來(lái)的I-V曲線變化，得出了摻雜對(duì)于電池特性的影響。
　　結(jié)果表明，新型復(fù)合薄膜太陽(yáng)電池微晶硅層選用1.4nm的晶粒進(jìn)行原子數(shù)比例為0.65%的B離子摻雜，可以滿足能級(jí)匹配的要求。我們對(duì)二氧化鈦