摻雜、氧含量對(duì)BiFeO-,3-陶瓷介電性的影響及正電子湮沒譜的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、河南衙孑五大學(xué)碩士學(xué)位論文摻雜、氧含量對(duì)BiFeO。陶瓷介電性的影響及正電子遵投譜的研究學(xué)科、專業(yè)研究方向申請(qǐng)學(xué)位類別申請(qǐng)人指導(dǎo)教師凝聚態(tài)物理鐵磁電復(fù)合材料理學(xué)碩士束桂林常方高教授二oo七年四月AbstractTheinfluenceofoxygencontentandrareearthdopingontheelectricalpropQmesofmultiferroicBiFe03o髓鋤icshasb啪investigatedinth

2、isthesisThesampleswitht／arionsoxygencomc缸tanddopinglevelswerepreparedbysolidstatereac吐∞methodThecrystallinestructureofallthesampleswasd確“吣k耐j蝴byusingXRDThe∞卿COlltentofthesamplesw勰determinedusingZ5000AtomicAbsorptionSpect

3、roscopyFrequencydependanceofdielectricpropertiesofallsmnplesatroomtemperamrewasmeasuredinafrequencyrangefrom40HztoIMHzwithaHP4294AprecisionimpedanceanalyzerXraydiffractionpatternindicatesthatthesubstitutionofrareearthGdf

4、orBihelpstoelinlillaletheimpurityphaseinB譚eOscen砌∞ThereisadecreaseinbothlatticeconstantaandcofthcunitcellastheGd3contentisincreasedAllthesamplesofBiFcOswithdiffaentoxTg冊(cè)contenthavethesamecrystalstructmeaspureBiFe03Theres

5、istivityofGddopedBiFe03samplesisdecreasedbyincreasingofthedopantcoolltelltandreachesamininlumatx魚l，andthenincreasesslightly細(xì)01鯽15increasingo沖genamu3cnlrationalsoincrcusestheresistivityofBiFe05becauseFe2beⅧ齬Fe3leadingtoad

6、ecreaseinleakageGurrellLTheeffectsofoygencolltontandGddopingOilthestructuraldefectsofBiFe03Cela商c$wer@alaninvestigatedusingpusitro矗arBnihilationtechnique0AT)Ithasbccnfoundthattheme∞positronfifetimeinBiFeOsissuonglydepend

7、entontheoxygencontentIntroducingoxygenvacancyleadstOadecreaseinpositronlifetimeandanincreaseinelectrondensityofBiFe03ceramicsForallthesamplesthedielectricconstantandlossdecreasewithmeasurementfrequencyTheeffectofintroduc

8、ingexcessiveo礙genOroxygenvacancyWaSteducethedielectriccons劬tofBWeOThedielectriclossinBiFcOsincreasedwithoxygencontentThelargechange(1肚35％)inthedielectricpropertiesofBiFe03sampleswithv萄ouso礙gencontant(5)maybeImdcrstoodint

9、ermsofthesp∞echargelimitedconductionassociatedwithcrystaldefectsIthasbeenfoundthatbothdielectricconatmltanddielectricloss、黼stronglydependentontheGd，contentTheeffectofintroducingGd3istoincremethedielectricconstantandtodec

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