高電荷態(tài)離子與固體表面相互作用的研究.pdf

1、本工作采用能量范圍從180kev到380kev的低能高電荷態(tài)Ar<'q+>(q=12-16)離子轟擊鋁靶，測量Al的k殼層x射線發(fā)射，對x射線的產(chǎn)生過程進行了研究。在實驗上得到鋁的k殼層x射線的產(chǎn)額和電離截面。 在二體碰撞理論和分子軌道理論基礎上，建立一個以2pπ-2p σ耦合為框架的模型，對鋁的k殼層x射線發(fā)射機制給出理論解釋。即帶有2p殼層空穴的氬離子靠近靶的鋁原子時，鋁原子與氬離子形成一個聯(lián)合原子態(tài)。鋁的1s殼層電子通過2

2、pπ-2p σ耦合轉移到氬的2p空穴上。鋁的1殼層電子退激到k殼層上，產(chǎn)生鋁的k殼層x射線發(fā)射。在這個框架下通過計算得到x射線產(chǎn)額的理論值和鋁k殼層電離截面的理論值。 實驗數(shù)據(jù)在這個2pπ-2p σ耦合結構里等到很好的解釋，模型的計算結果和實驗觀察值是相符合的。并定性解釋了為什么在相同入射能量作用下，Ar<'12+>，Ar<'14+>和Ar<'15+>作用下x射線的產(chǎn)額幾乎一樣，而Ar<'13+>作用下的x射線的產(chǎn)額相對較大，A