溶液法常壓制備ZnO納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種自激活半導體材料，禁帶寬度為3.37eV，室溫下的激子束縛能高達60meV，遠大于ZnSe的22meV和GaN的25meV，也大于ZnO在室溫下的熱離化能(26meV)。這些特性使ZnO更易在室溫下實現(xiàn)高效率的激光發(fā)射，因此ZnO是制備短波長發(fā)光器件的熱門候選材料。本文在概述納米材料特性、ZnO基本性質(zhì)、ZnO的紫外發(fā)光性能研究進展、一維ZnO納米結(jié)構(gòu)制備方法的基礎(chǔ)上，研究了ZnO微納結(jié)構(gòu)在較低溫度、常壓條件下的生

2、長，并測試分析了其光學和電學性能。 在常壓條件下，利用Zn、O原子的不對稱分布導致ZnO晶體具有極性生長的特性，通過調(diào)節(jié)溶液濃度、pH值等工藝條件和加入不同高分子制備出了不同的ZnO微納結(jié)構(gòu)。采用場發(fā)射掃描電子顯微鏡進行的形貌表征結(jié)果表明，制備的ZnO晶體結(jié)構(gòu)分別呈現(xiàn)納米線、微米棒、納米晶須以及納米顆粒等形貌。本文從溶液pH值、溶液濃度、生長時間和高分子等方面考察了反應條件對ZnO晶體生長形態(tài)的影響；從化學反應和極性生長方面研究