2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文應(yīng)用MOCVD生長(zhǎng)方法進(jìn)行了Mg摻雜AlGaN材料的生長(zhǎng)，并對(duì)生長(zhǎng)之后的樣品進(jìn)行結(jié)晶質(zhì)量、表面形貌、電學(xué)性能、雜質(zhì)原子濃度分布等方面的表征與分析。
　　 1、對(duì)于均勻Mg摻雜的AlGaN材料的分析，得到以下研究結(jié)果：(1)薄膜結(jié)晶質(zhì)量隨著退火溫度增加而降低；(2)當(dāng)溫度為900℃時(shí)，表面原子會(huì)開始逃逸，當(dāng)溫度低于800℃，熱退火提供不了打破Mg-H絡(luò)合物的能量；(3)獲得了最佳的退火溫度：850℃以及室溫下Mg均勻摻雜Al0

2、.25Ga0.75N的最佳電阻率：4.37Ω·cm；(4)退火除了造成Mg-H絡(luò)合物的分解之外，也會(huì)降低O原子濃度，從而增加p型AlGaN電學(xué)性能。
　　 2、我們通過(guò)生長(zhǎng)了不同Ⅴ/Ⅲ值的Mgδ摻雜法生長(zhǎng)的AlGaN樣品，并與均勻摻雜的樣品進(jìn)行對(duì)比，得到了一系列分析結(jié)果：(1)與均勻摻雜相比，Mgδ摻雜法能有效的降低表面活性，使得Al/Ga原子在薄膜表面擴(kuò)散長(zhǎng)度更長(zhǎng)，更傾向于二維生長(zhǎng)，其結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌都更加完美；(2)Mgδ

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