電針對局灶性腦缺血再灌注損傷大鼠海馬區(qū)VEGF、HIF-1α表達(dá)的影響.pdf

1、背景和目的：缺血性腦血管病是臨床常見病、多發(fā)病。如何有效的搶救、治療急性缺血性腦血管病，最大限度地減少患者的致殘率和致殘程度，提高其生存質(zhì)量，已成為當(dāng)今世界醫(yī)學(xué)界關(guān)注的重要課題。傳統(tǒng)的觀點(diǎn)一致認(rèn)為盡快恢復(fù)缺血區(qū)的血供，挽救瀕死的神經(jīng)元、神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞和神經(jīng)內(nèi)皮細(xì)胞是治療缺血性腦血管病的中心環(huán)節(jié)，但是由于長時間的缺氧導(dǎo)致大腦微環(huán)境發(fā)生改變：無氧糖酵解造成大量的乳酸堆積；長時間缺血導(dǎo)致線粒體破壞殆盡；機(jī)體能量耗竭等等，使得恢復(fù)的血流與損傷組織

2、之間相互作用，隨之出現(xiàn)腦缺血再灌注損傷。為了解決這一治療上的矛盾，研究者通過大量的研究發(fā)現(xiàn)急性腦缺血后缺血區(qū)其自身可啟動代償性血管新生(angiogenesis，AG)，以代償部分血供，但不足以代償全部血供。近年來隨著對缺血性腦卒中分子水平研究的深入，發(fā)現(xiàn)多種細(xì)胞因子參與了血管新生的發(fā)生與調(diào)控過程，其中血管內(nèi)皮生長因子(VEGF)是迄今為止唯一被證明對血管形成起關(guān)鍵和特異性作用的生長因子，而缺氧誘導(dǎo)因子1α(HIF-1α)在介導(dǎo)缺氧與血

3、管新生的信號傳遞中起關(guān)鍵性的作用，可被低氧激活并誘導(dǎo)VEGF等基因的表達(dá)。調(diào)控血管血管新生相關(guān)因子表達(dá)，促進(jìn)血管新生進(jìn)程，恢復(fù)缺血區(qū)的血供有利于腦缺血后神經(jīng)元的修復(fù)。大量臨床報道已經(jīng)證實(shí)針灸治療缺血性中風(fēng)療效確切，本課題在大腦中動脈栓塞法(middlecerebralarteryocclusion，MACO)制備的腦缺血再灌注模型基礎(chǔ)上，選用“百會”，“水溝”，“后三里”諸穴，觀察電針對局灶性腦缺血大鼠海馬區(qū)VEGF和HIF-1α表達(dá)的

4、影響，探討電針在腦缺血再灌注損傷中的促血管新生作用及其可能機(jī)制，為針灸治療缺血性腦血管病提供一定的實(shí)驗依據(jù)。 方法：以健康SD大鼠為實(shí)驗研究對象，隨機(jī)分為正常對照組、假手術(shù)組、MCAO模型對照組(缺血30min后再灌注12h、1d、2d三個亞組)、電針組(缺血30min后再灌注12h、1d、2d加電針治療三個亞組)，前兩組每組各10只，后兩組每個亞組各10只。根據(jù)Longa改良的動脈線栓法制作大鼠MCAO模型，神經(jīng)功能障礙評分參

5、照zea—Longa的5級4分評分標(biāo)準(zhǔn)，只有神經(jīng)功能障礙在1級以上的大鼠才能保留下來。電針組在動物在造模成功后1小時分別電針“百會’，“水溝”，“后三里”穴30分鐘，然后每隔12小時電針30分鐘，并于取材前1小時電針最后1次。正常組、假手術(shù)組、模型對照組動物不予電針治療。治療結(jié)束后各組大鼠隨相應(yīng)時相取材、做石蠟包埋、切片，每個蠟塊分別在海馬區(qū)切3張厚5μm切片，運(yùn)用免疫組化S—P法，光鏡下觀察各組大鼠缺血側(cè)海馬區(qū)微血管的密度和VEGF、

6、HIF-1α陽性表達(dá)水平；所有數(shù)據(jù)均輸入計算機(jī)，以SPSS11.0軟件統(tǒng)計包處理，微血管的密度實(shí)驗結(jié)果以均數(shù)士標(biāo)準(zhǔn)差(—x±s)表示，各組VEGF、HIF-1α陽性率比較行X2檢驗。 結(jié)果： (1)微血管密度：模型組各個時相大鼠海馬微血管密度均高于正常組和假手術(shù)組，電針組各個時相海馬微血管均高于相應(yīng)時相的模型對照組，有顯著性差異，(P＜0.01)； (2)VEGF、HIF-1α的表達(dá)：正常對照組和假手術(shù)組大鼠海馬

7、區(qū)只有極少量的陽性表達(dá)，模型組、電針組海馬區(qū)陽性表達(dá)明顯增多(p＜0.05)；模型組VEGF陽性表達(dá)率為78.6％，電針組VEGF陽性表達(dá)率為84.6％；模型組HIF-1α陽性表達(dá)率為71.4％，電針組HIF-1α陽性表達(dá)率為92.3％。電針組VEGF、HIF-1α的陽性率均高于模型組，差異有統(tǒng)計學(xué)意義(p＜0.05)； (3)電針組各個時相VEGF、HIF-1α陽性表達(dá)之間的比較：其中電針12h、電針1d、電針2d，VEGF的

8、陽性表達(dá)率分別為：60％、87.5％、87.5％；電針12h、電針1d、電針2d，HIF-1α的陽性表達(dá)率分別為80％、87.5％、87.5％?？梢婋娽樈MVEGF、HIF-1α陽性表達(dá)隨治療時間的延長逐漸增加，但各組之間差異比較沒有統(tǒng)計學(xué)意義(p＞0.05)，可能與每組例數(shù)太少有關(guān)。 結(jié)論：電針“百會”，“水溝”，“后三里”穴能夠?qū)鼓X缺血再灌注損傷、其作用機(jī)制可能與促進(jìn)HIF-1α及VEGF在海馬表達(dá)，調(diào)節(jié)腦缺血再灌注后血管新