紫外光電材料ZnO的外延生長及特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文采用直流反應(yīng)磁控濺射法分別在Si（001），Si（111）及k4玻璃襯底上制備了ZnO薄膜，研究了襯底溫度、氧氬比對于薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響.并采用退火工藝提高了ZnO薄膜的質(zhì)量.結(jié)合XRD譜對薄膜的生長工藝進(jìn)行了優(yōu)化，在襯底溫度為350℃，氧氬比為1：2的條件下制備出了高度取向的ZnO薄膜，其ZnO（0001）面的XRD半峰寬僅為0.1°，優(yōu)于國內(nèi)其它單位所報(bào)道的水平.透過率譜分析表明，ZnO在大于370mm光波段的平均透過率大于85

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