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1、該文的主要工作是:以碳化硅材料特性參數(shù)為基礎(chǔ),建立金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件二維數(shù)值模型,較為準(zhǔn)確地模擬了4H-SiC MESFET的靜態(tài)特性、頻率特性、功率特性以及溫度特性.在碳化硅器件電學(xué)擊穿特性方面,首先根據(jù)碳化硅器件的基本擊穿機(jī)制,建立擊穿模型.分析了雪崩碰撞離化效應(yīng)、隧穿效應(yīng)和熱效應(yīng)在器件擊穿中的作用;對(duì)模型進(jìn)行張量擴(kuò)充,提出碳化硅各向異性電學(xué)熱學(xué)模型的模擬思路,考慮各向異性對(duì)器件擊穿特性的影響;建立了直觀的解析模型,總結(jié)了溫
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