超高密度磁記錄寫磁頭材料FeCoN薄膜的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高飽和磁化強度的軟磁薄膜在寫磁頭方面和高頻微傳感器方面都具有很高應用價值，可是到目前為止仍然很少有飽和磁化強度超過2.1T同時矯頑力低于1Oe的軟磁薄膜材料。Fe65Co35薄膜飽和磁化強度可達到2.45T。在Fe65Co35薄膜中摻雜N可以有效的降低薄膜矯頑力，不過這樣也會降低薄膜飽和磁化強度。本論文主要內(nèi)容是在有效降低薄膜矯頑力的同時保證高的飽和磁化強度，制備出同時具有高飽和磁化強度和低矯頑力的FeCoN薄膜。在實驗過程中得出了以下

2、結(jié)論： 1.隨著氮分壓的升高，F(xiàn)eCoN薄膜晶格膨脹，同時薄膜中的納米晶和非晶成份增加。 2.隨著氮分壓的升高，F(xiàn)eCoN薄膜矯頑力變小Hce從最大174Oe降到最小3Oe，Hch從最大170Oe降到最小0.4Oe；飽和磁化強度略有減小，由最大2.45T降低到最小1.15T；電阻率先由112μΩ.cm升高到最大249μΩ.cm，隨后緩慢降低至197μΩ.cm。 3.氮分壓為10％時的FeCoN薄膜在各方面都具有良

3、好的性能，此時制備的FeCoN薄膜同時存在α-Fe(Co，N)BCC結(jié)構(gòu)、納米晶和非晶相，薄膜矯頑力Hce=4.5Oe，Hch=1.3Oe，飽和磁化強度Ms=2.02T，各向異性場Hk=90Oe，電阻ρ=228μΩ.cm。 4.FeCoN薄膜的應力σ和飽和磁滯伸縮λs都隨氮分壓的增大而減小。但是氮分壓為10％的FeCoN薄膜是例外，它有最高的Hk值(90 Oe)和最高的鐵磁共振頻率fr值(3.45GHz)。 5.兩種不同

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