磁記錄磁頭電磁損傷及保護(hù)研究.pdf

1、本文中電磁干擾抑制措施提高了產(chǎn)品抗干擾能力，減小了生產(chǎn)線上產(chǎn)品的失效損傷，從而降低了由于電磁干擾引起的損失。首先根據(jù)磁記錄磁頭靜電放電(Electro-Static Discharge, ESD)損傷試驗(yàn)，利用肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)進(jìn)行防護(hù)，同時(shí)對(duì)磁頭折片組合(Head Gimbal Assembly, HGA)軟線路(Flex Printed Circuit, FPC)進(jìn)行串?dāng)_損傷分

2、析，提出通過(guò)改變接地過(guò)孔的方法來(lái)減小串?dāng)_損傷。
　　本文研究?jī)?nèi)容主要包括以下幾個(gè)方面：
　　通過(guò)ESD模擬器放電波形及模擬輸出波形的擬合，實(shí)現(xiàn)模擬器參數(shù)的評(píng)估。
　　通過(guò)ESD電壓加載試驗(yàn)，評(píng)估HGA寄生參數(shù)的影響，并從電路結(jié)構(gòu)給予解釋說(shuō)明，實(shí)現(xiàn)磁頭結(jié)構(gòu)及損傷機(jī)理的認(rèn)識(shí)。
　　通過(guò) I-V試驗(yàn)及模擬方法提取肖特基勢(shì)壘二極管參數(shù)，并利用其對(duì)靜電損傷HGA防護(hù)，并從模擬的角度驗(yàn)證。
　　建立傳輸線Pspice電

3、路模型，利用模型評(píng)估磁頭串?dāng)_損傷，從改變產(chǎn)品傳輸線部分接地過(guò)孔的角度減小串?dāng)_損傷。
　　主要試驗(yàn)有利用示波器抓取電磁干擾波形，不同泄放位置如讀線位間、讀線位與地線位間以及磁頭表面的電磁干擾試驗(yàn)，產(chǎn)品的掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡(Scan Electronic Microscope/Atomic Force Microscope, SEM/AFM)圖像的獲取，肖特基勢(shì)壘二極管電流電壓特性研究
　　本文從試驗(yàn)和仿真角度實(shí)現(xiàn)對(duì)模