磁記錄磁頭電磁損傷及保護研究.pdf

1、本文中電磁干擾抑制措施提高了產(chǎn)品抗干擾能力，減小了生產(chǎn)線上產(chǎn)品的失效損傷，從而降低了由于電磁干擾引起的損失。首先根據(jù)磁記錄磁頭靜電放電(Electro-Static Discharge, ESD)損傷試驗，利用肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)進行防護，同時對磁頭折片組合(Head Gimbal Assembly, HGA)軟線路(Flex Printed Circuit, FPC)進行串?dāng)_損傷分

2、析，提出通過改變接地過孔的方法來減小串?dāng)_損傷。
　　本文研究內(nèi)容主要包括以下幾個方面：
　　通過ESD模擬器放電波形及模擬輸出波形的擬合，實現(xiàn)模擬器參數(shù)的評估。
　　通過ESD電壓加載試驗，評估HGA寄生參數(shù)的影響，并從電路結(jié)構(gòu)給予解釋說明，實現(xiàn)磁頭結(jié)構(gòu)及損傷機理的認(rèn)識。
　　通過 I-V試驗及模擬方法提取肖特基勢壘二極管參數(shù)，并利用其對靜電損傷HGA防護，并從模擬的角度驗證。
　　建立傳輸線Pspice電

3、路模型，利用模型評估磁頭串?dāng)_損傷，從改變產(chǎn)品傳輸線部分接地過孔的角度減小串?dāng)_損傷。
　　主要試驗有利用示波器抓取電磁干擾波形，不同泄放位置如讀線位間、讀線位與地線位間以及磁頭表面的電磁干擾試驗，產(chǎn)品的掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡(Scan Electronic Microscope/Atomic Force Microscope, SEM/AFM)圖像的獲取，肖特基勢壘二極管電流電壓特性研究
　　本文從試驗和仿真角度實現(xiàn)對模