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文檔簡介
1、 本論文應(yīng)用密度泛函理論研究納米管材料的吸附行為,主要是硼氮納米管對氫氣的吸附。論及了碳納米管的化學(xué)修飾。利用結(jié)合密度泛函理論的非平衡態(tài)格林函數(shù)方法研究分子器件的電子輸運(yùn)行為。 首先,介紹了量子化學(xué)的歷史及發(fā)展現(xiàn)狀、密度泛函理論的理論框架和近年來的發(fā)展。用密度泛函理論研究了從單個氫原子到多個氫原子在硼氮納米管管壁上的吸附行為,以及氫分子的解離吸附過程。同時,還考慮了納米管的徑向形變以及表面缺陷對吸附行為的影響。用密度泛函理論研究了
2、碳納米管管端用羧基進(jìn)行化學(xué)修飾的情況?;仡櫫朔肿悠骷难芯窟M(jìn)展,重點(diǎn)介紹其理論研究方面的發(fā)展。掃描隧道顯微鏡、劈裂結(jié)等方法的發(fā)展使人們可以自下而上地制備基于分子的電子器件。簡單介紹了非平衡態(tài)格林函數(shù)方法的理論框架以及目前基于密度泛函理論和非平衡態(tài)格林函數(shù)方法的幾個計(jì)算軟件包。研究了一些具體分子的電子輸運(yùn)行為,包括4,4’-雙吡啶分子、Pd-H納米結(jié)以及水分子。最后,從分子軌道的角度解釋分子器件的電子輸運(yùn)行為。此外,還從電極距離、吸附位置
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