SiC納米材料的場發(fā)射性能及應用研究.pdf

1、本文利用化學氣相反應法(CVR)成功合成了四種不同形貌的SiC納米線，通過場發(fā)射掃描電鏡(FE—SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)和X射線衍射儀(XRD)等對產(chǎn)物進行了系統(tǒng)表征，并深入研究了產(chǎn)物的場發(fā)射性能、任意分布SiC納米線的純化工藝以及場發(fā)射顯示器件的研制。試驗結果表明： 有刺SiC納米線的開啟電壓和閾值電壓分別為1.3V/μm和4.2V/μm，在四種形貌SiC納米線中場發(fā)射性能最好；提高真空度會

2、降低有刺SiC納米線的開啟電壓和閾值電壓，但開啟電壓降低的幅度更大；低電場強度下升高溫度會提高有刺SiC納米線的開啟電壓，而同樣溫度高電場強度條件下，溫度對閾值電壓的影響并不明顯。 針對任意分布SiC納米線，采用高溫加熱處理和酸化處理相結合，得到如下純化工藝：(1)高溫加熱處理工藝：加熱溫度為900℃，保溫時間為2h；(2)酸洗工藝：氫氟酸濃度為1.5mol/L，酸洗時間為4h。經(jīng)過純化后，產(chǎn)物中所含的雜質減少了，場發(fā)射性能也改