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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文鎳基納米針陣列的場(chǎng)發(fā)射性能研究姓名:李紅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):材料學(xué)指導(dǎo)教師:李明凌惠琴200802012和優(yōu)化針錐陣列形貌的關(guān)鍵。此外,為了降低電子功函數(shù),防止Ni針陣列的氧化及使用過(guò)程中受離子轟擊而失效,在Ni針陣列上濺射了均勻的AlN薄膜,薄膜厚度為10nm200nm,隨厚度的增加,針錐的尖銳度有所下降。場(chǎng)發(fā)射性能的測(cè)試表明,制備的Ni基納米針陣列具有良好的場(chǎng)發(fā)射性能。Cu基片生長(zhǎng)的Ni針陣列開啟電場(chǎng)可低
2、至0.38Vm,而場(chǎng)發(fā)射陰極最終要在玻璃基上應(yīng)用,因此主要研究了在濺射Cu玻璃基片上生長(zhǎng)的Ni針陣列,其開啟電場(chǎng)最低為5Vm,發(fā)射電流可以達(dá)到200A。針錐陣列形貌對(duì)場(chǎng)發(fā)射性能有重大影響。隨電結(jié)晶時(shí)間延長(zhǎng),針錐尖銳度下降、不均勻性增加,場(chǎng)發(fā)射性能降低。沉積的AlN薄膜因厚度太大,使得電子難以穿越,也同樣損害了針錐陣列的場(chǎng)發(fā)射性能。通過(guò)形貌研究和場(chǎng)發(fā)射性能研究的結(jié)合,本研究提出了通過(guò)基片的選擇、電結(jié)晶條件的設(shè)置和濺射適當(dāng)厚度的AlN薄膜控
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