陣列激勵電極式RF MEMS電容開關的設計與數值分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、與傳統的半導體開關相比，RF MEMS開關具有體積小、能耗小、插入損耗低，以及高隔離度等優(yōu)點。在地面無線通訊技術、衛(wèi)星通訊系統中具有廣泛的應用前景。 本課題主要研究內容是針對RF MEMS開關中由于介質層薄膜中的電荷吸附和注入，導致其可動金屬梁被吸附或不能制動的開關早期失效情況，從開關的介質薄膜材料和開關結構雙方面入手，進行整體改良： 在材料改進方面，創(chuàng)建了一種MIS(金屬-絕緣體-金屬)結構模擬真實開關在down-st

2、ate態(tài)時，“金屬激勵電極-氮化硅絕緣介質層-開關金屬可動梁”三層材料在高電場力作用下緊貼后，其內部電荷的吸附及注入的情況。通過C-V測試平臺對此MIS結構進行C-V測試，觀察了我中心自行制備的氮化硅薄膜中電荷的注入吸附情況。并通過熱處理、離子摻雜等半導體工藝時其原有的電荷注入情況得到改變。證明了通過氮化硅薄膜材料改良以延長開關使用壽命的可行性。 在開關結構方面，提出了“吸附電極區(qū)非接觸，接觸停止區(qū)無電場”的開關結構設計方法。并

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