PECVD沉積的氮化硅薄膜熱處理性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、氮化硅薄膜是一種多功能材料，在許多領(lǐng)域有著廣泛的運(yùn)用：在微電子材料及器件生產(chǎn)中，氮化硅作為鈍化膜、絕緣層和擴(kuò)散掩膜；硅基太陽(yáng)能電池中，氮化硅用作鈍化膜和減反射膜；在硅基發(fā)光材料中作為硅納米團(tuán)簇的包埋母體等等。熱處理是氮化硅薄膜在這些實(shí)際應(yīng)用時(shí)都經(jīng)過(guò)的一道工序，可以給薄膜帶來(lái)許多有益的影響。 本文在系統(tǒng)綜述氮化硅薄膜的性質(zhì)、應(yīng)用及多種制備方法的基礎(chǔ)上，應(yīng)用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，以硅烷和氨氣為氣源，在不同襯底溫

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