版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著半導體芯片集成度的進一步提高,以電子為信息載體的金屬互聯(lián)存在的RC延遲及熱耗散成為制約超大規(guī)模集成電路發(fā)展的瓶頸。采用光互連代替電互聯(lián)將有效解決這一問題,而尋找高效的硅基光源更是解決這一問題的關(guān)鍵。近年來,富硅氮化硅(SiNx)薄膜由于其良好的發(fā)光特性及制備工藝與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容而受到廣泛關(guān)注,成為硅基光源的候選材料之一。
本論文研究了富硅氮化硅薄膜體系的電致發(fā)光器件,包括基于單層SiNx薄膜、SiNx/a-Si/
2、SiNx三明治結(jié)構(gòu)薄膜以及引入SiO2電子加速層的SiO2 on SiNx結(jié)構(gòu)薄膜的三種電致發(fā)光器件,取得以下主要成果:
(1)SiNx薄膜電致發(fā)光源于禁帶內(nèi)的缺陷態(tài)能級的復合,發(fā)光峰位位于600nm處,主要來自于Ec→≡Si-之間的電子輻射躍遷;相同的輸入功率下,采用p-Si作為襯底能夠提高器件的EL強度,采用p+/p Si作為襯底能夠有效降低器件的開啟電壓;經(jīng)三步熱處理后器件的開啟電壓降低。
(2)對于S
3、iNx/a-Si/SiNx三明治結(jié)構(gòu)薄膜,當a-Si層沉積時間為60s時,高溫熱處理后器件的開啟電壓降低且EL積分強度提高??赡茉蚴莂-Si層經(jīng)過高溫熱處理后形成了顆粒尺寸較小的Si的非晶納米顆粒,有利于載流子注入SiNx薄膜,載流子的濃度提高,一定程度上使得電子與空穴的復合效率提高,EL發(fā)光出現(xiàn)增強。
(3)SiO2電子加速層的引入能夠提高器件的EL強度,原因在于經(jīng)SiO2層加速后的高能電子進入發(fā)光層后,將對SiNx進
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 富硅氮化硅和納米硅多層量子阱硅基發(fā)光薄膜與器件.pdf
- 富硅氮化硅薄膜的光電性能研究.pdf
- 局域表面等離子體增強的氮化硅器件電致發(fā)光性能研究.pdf
- 表面等離激元增強氮化硅基MIS器件的電致發(fā)光.pdf
- 納米硅-氮化硅薄膜微結(jié)構(gòu)特性研究.pdf
- 27528.富硅氮化硅及其硅量子點薄膜材料的制備及其特性研究
- 含硅量子點氮化硅薄膜的發(fā)光特性及載流子輸運機理研究.pdf
- PECVD法制備包埋硅量子點的氮化硅薄膜及其發(fā)光特性研究.pdf
- 摻鉺富硅二氧化硅電致發(fā)光器件的光電性研究.pdf
- 硅基TiO2薄膜器件的電致發(fā)光.pdf
- 磁控濺射制備氮化硅薄膜特性研究.pdf
- 新型有機薄膜電致發(fā)光器件.pdf
- 硅基有機薄膜電致發(fā)光器件電極的制備和研究.pdf
- 氮化硅薄膜制備及其相關(guān)特性研究.pdf
- 摻磷氮化硅薄膜鈍化特性的研究.pdf
- PECVD氮化硅薄膜制備與微結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 低壓有機薄膜電致發(fā)光器件的研究.pdf
- 硅基CeO2薄膜電致發(fā)光器件的制備與研究.pdf
- PECVD氮化硅薄膜的制備工藝及仿真研究.pdf
- PECVD氮化硅薄膜制備工藝及性能測試研究.pdf
評論
0/150
提交評論