Zr對(duì)Ni-Al系金屬間化合物中微觀缺陷和電子狀態(tài)的影響.pdf

1、本文建立了一套雙高純鍺探頭——二維多道符合技術(shù)正電子湮沒(méi)輻射多普勒展寬裝置。用該裝置測(cè)量的正電子湮沒(méi)輻射多普勒展寬譜的峰高與本底之比高于10<'5>。對(duì)多譜線高能端進(jìn)行分析，可提取原子內(nèi)層電子的信息。該技術(shù)對(duì)過(guò)渡族、稀土元素的d或f電子特別敏感。 測(cè)量了過(guò)渡金屬純?cè)?、含Zr等元素的Ni-Al系金屬間化合物的符合正電子湮沒(méi)輻射多普勒展寬譜和壽命譜。從多普勒展寬譜中提取金屬及合金的d或f電子的信息，進(jìn)而研究合金元素對(duì)金屬間化合物中

2、微觀缺陷和電子狀態(tài)的影響。 純?cè)氐亩嗥绽照箤捵V表明：正電子與同一周期內(nèi)的過(guò)渡金屬中較高動(dòng)量芯電子湮沒(méi)的幾率隨4d電子的數(shù)目的增加而增加。 測(cè)量不同Zr含量和經(jīng)不同溫度退火前后的多晶Ni<,3>Al合金多普勒展寬譜和壽命譜。實(shí)驗(yàn)表明，多晶Ni<,3>Al合金晶界缺陷的開(kāi)空間大于單空位或位錯(cuò)。多晶Ni<,3>Al合金中加入Zr元素，Zr原子容易偏聚到Ni<,3>AI合金的晶界缺陷上，當(dāng)Zr含量低于1.0at％時(shí)，正電子與合

3、金中的d電子湮沒(méi)幾率隨Zr含量增大而增加；當(dāng)Zr含量為1.0at％時(shí)，達(dá)到最大值；當(dāng)Zr含量高于1.5at％時(shí)，Ni<,5>Zr相析出，相界面增加，導(dǎo)致正電子與合金中的d電子湮沒(méi)幾率降低。不同溫度熱處理對(duì)Zr在多晶Ni<,3>Al合金中的擴(kuò)散影響很大，Zr含量越高、退火溫度越高，在合金中Ni<,5>Zr相的析出量越多。第二相的析出使得正電子壽命增加，合金樣品的商譜峰高降低，合金中缺陷濃度增加。在二元NiAI合金中，由于Ni的d電子與Al