已閱讀1頁，還剩50頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、為了降低薄膜太陽能電池的發(fā)電成本，進(jìn)一步提高電池轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要，提高電池的光譜響應(yīng)范圍是一個提高效率行之有效的方法。 硅鍺材料具有比硅材料更好的優(yōu)勢，在硅中加入鍺有兩個好處：第一可以增加吸收效率，因為鍺的吸收系數(shù)比硅要高1-2 個數(shù)量級；第二可以擴展吸收光譜的范圍，硅鍺材料的帶隙可以做到1.1eV-0.66eV，幾乎可以吸收全部的太陽光。因此使用硅鍺材料可大大提高太陽能電池的效率。 本論文利用乙硅烷（Si2H6）和Ge
2、F4之間的氧化還原反應(yīng)來降低材料的制備溫度，并采用反應(yīng)熱CVD（RT-CVD）技術(shù)，制備了微晶硅鍺薄膜。研究了反應(yīng)氣體濃度、反應(yīng)氣壓、輝光功率和襯底溫度對微晶硅鍺薄膜光電特性和結(jié)構(gòu)特性的影響。結(jié)果表明：在實驗研究的范圍內(nèi)，材料隨著反應(yīng)氣體濃度的減小、反應(yīng)氣壓的降低、功率的增加和襯底溫度的升高的暗電導(dǎo)增加而光敏性減小。而材料的晶化率則隨反應(yīng)氣體的濃度減小、反應(yīng)氣壓的減小、功率的增加和襯底溫度的升高而增加。優(yōu)化反應(yīng)條件制備出了晶化率60％、
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 等離子輔助反應(yīng)熱CVD法制備微晶硅鍺材料及電池應(yīng)用.pdf
- 微晶硅鍺薄膜生長研究及其在太陽電池中的初步應(yīng)用.pdf
- 微晶硅薄膜的制備及其在太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- CVD法制備MoS2薄膜及其在太陽電池的應(yīng)用.pdf
- 高鍺含量微晶硅鍺材料及其在太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 晶硅薄膜的制備及其在太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 微晶硅鍺太陽電池的仿真與優(yōu)化.pdf
- 籽晶層法制備氫化微晶硅薄膜材料及其在薄膜太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 器件質(zhì)量級微晶硅薄膜及高效微晶硅太陽電池制備的研究.pdf
- 高壓沉積非晶硅鍺薄膜及在太陽電池上的應(yīng)用
- 氫化微晶硅薄膜材料及其在硅基薄膜太陽電池中的應(yīng)用研究.pdf
- 硅鍺薄膜材料的RF-PECVD法制備及其在太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 微晶硅薄膜太陽電池穩(wěn)定性研究.pdf
- 高壓沉積非晶硅鍺薄膜及在太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 單室vhfpecvd制備微晶硅薄膜太陽電池的初步研究
- PECVD法制備非晶硅鍺薄膜及其太陽能電池應(yīng)用研究.pdf
- 微晶硅鍺太陽電池的光電模擬和實驗研究.pdf
- 硅薄膜太陽電池材料的制備研究.pdf
- 非晶硅太陽電池薄膜材料的制備及其光電特性研究.pdf
- N型硅氧薄膜的制備及其在硅薄膜太陽電池中的應(yīng)用研究.pdf
評論
0/150
提交評論