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文檔簡介
1、 隨著電子封裝業(yè)的發(fā)展,電子封裝中傳熱現(xiàn)象出現(xiàn)了時間尺度和空間尺度上的微小化,于是Non-Fourier效應(yīng)越來越強。本文分別將Fourier導(dǎo)熱模型和Non-Fourier導(dǎo)熱模型作為本構(gòu)關(guān)系,對三維多芯片組件基板模型的熱傳導(dǎo)問題,建立各自的數(shù)學(xué)物理方程,采用有限差分方法求解相應(yīng)的模型傳熱方程,得到了三維基板模型的溫度響應(yīng)和溫度分布。并將計算所得的溫度場作為體載荷施加到有限元模型,利用ANSYS軟件對基板模型進行了熱應(yīng)力的計算分析。
2、 計算結(jié)果表明,與經(jīng)典Fourier分析相比,Non-Fourier的分析結(jié)果存在較大差異:模型的溫度值較大,溫度場進入穩(wěn)態(tài)的時間較長,溫度變化的速度較快,熱耦合的現(xiàn)象也更強。同時,在熱源較集中、耗散熱量較大的區(qū)域,受約束的面,以及模型的邊界區(qū)域,都有較大的熱應(yīng)力集中,容易產(chǎn)生熱應(yīng)力破壞?! ∫酝嘈酒M件的熱分析較少采用Non-Fourier導(dǎo)熱模型進行分析,本文所采用的分析過程和方法,對電子封裝中的Non-Fourier效應(yīng)問
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