磁性半導(dǎo)體-絕緣體-磁性半導(dǎo)體構(gòu)成的隧道結(jié)的物理性質(zhì).pdf

1、鐵磁半導(dǎo)體是一種新型的磁性材料，其特點(diǎn)在于它的磁性特點(diǎn)和半導(dǎo)體特點(diǎn)互作用，能夠把信息處理和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存統(tǒng)一于同一個(gè)材料中，對(duì)鐵磁半導(dǎo)體構(gòu)成的各種磁性隧道結(jié)的研究是凝聚態(tài)領(lǐng)域熱門課題之一。K·p模型在處理半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中空穴傳輸問題時(shí)非常有效，它是K·p微擾方法在半導(dǎo)體多帶模型下，處理隧道結(jié)中載流子輸運(yùn)問題的具體應(yīng)用，同時(shí)也是傳輸矩陣方法的一種。
　　 在本文中，我們主要研究了由磁性半導(dǎo)體構(gòu)成的單勢(shì)壘隧道結(jié)以及雙勢(shì)壘隧道結(jié)的物理性質(zhì)。用

2、K·p模型的方法研究了在GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道結(jié)隧道磁電阻效應(yīng)，計(jì)算了各種空穴的透射系數(shù)隨能量的變化。給出了自旋量子軸的轉(zhuǎn)換矩陣，計(jì)算了TMR隨兩層GaMnAs的磁化方向的夾角θ的變化，得到了TMR與sin2（θ/2)的線性依賴關(guān)系，并與散射的方法進(jìn)行了比較，理論上進(jìn)行了預(yù)測(cè)。用K·p模型的方法研究了在GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道結(jié)隧道磁電阻效應(yīng)，計(jì)算了各種空穴的透射系數(shù)隨能量的變化，計(jì)