半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體的高壓靜電分選.pdf

1、廢棄半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)是電子廢棄物中數(shù)量巨大且較為特殊的一類，包括電腦內(nèi)存條、U盤、閃存等以半導(dǎo)體芯片為信息存儲(chǔ)元器件的電子產(chǎn)品。它們一方面載有隱私信息，需要被安全銷毀，另一方面富含金屬導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體材料，極具回收價(jià)值。通過破碎法可以粉碎信息存儲(chǔ)材料半導(dǎo)體硅，使存儲(chǔ)信息得到安全銷毀；高壓靜電分選能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體的分選。
　　本文主要研究了高壓靜電分選半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體的過程。半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)破碎至一定粒度可以實(shí)現(xiàn)信息安

2、全銷毀，進(jìn)而通過高壓靜電分選技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體分離。通過運(yùn)動(dòng)規(guī)律總結(jié)、分選參數(shù)優(yōu)化、系統(tǒng)構(gòu)建及優(yōu)化等步驟實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體的分離回收。根據(jù)高壓靜電場(chǎng)中的顆粒介電性質(zhì)，絕緣體較易分離，半導(dǎo)體與導(dǎo)體顆粒較難分離。本文首先分析半導(dǎo)體、導(dǎo)體在高壓靜電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律，其次設(shè)計(jì)半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體分選實(shí)驗(yàn)并優(yōu)化參數(shù)，最終提出采用破碎-風(fēng)力分選-高壓靜電分選來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)的信息安全銷毀和半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體物料分離，為進(jìn)一步

3、資源化做好準(zhǔn)備。
　　通過進(jìn)行兩次高壓靜電分選，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體分離。第一次高壓靜電分選可以分離出絕緣體。第二次高壓靜電分選在合適的參數(shù)條件下可分離半導(dǎo)體、導(dǎo)體。分別對(duì)兩次高壓靜電分選進(jìn)行中心復(fù)合設(shè)計(jì)，分析了電壓（U）、轉(zhuǎn)輥轉(zhuǎn)速（n）兩個(gè)因子對(duì)分選效果影響。建立數(shù)學(xué)模型，作出等值線圖和響應(yīng)曲面圖，進(jìn)行響應(yīng)優(yōu)化后得出對(duì)于0.15-0.3mm粒徑的顆粒，金屬（半導(dǎo)體、導(dǎo)體）與非金屬（絕緣體）分選最佳參數(shù)為U=27kV，n=

4、74rpm。半導(dǎo)體硅和導(dǎo)體銅分選的最佳參數(shù)條件為U=2.5kV，n=61rpm。
　　對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)，采用破碎-風(fēng)力分選-高壓靜電分選系統(tǒng)進(jìn)行處理。多級(jí)破碎后信息存儲(chǔ)材料半導(dǎo)體破碎至0.15mm以下，信息不能夠再恢復(fù)，達(dá)到安全銷毀標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過風(fēng)力分選-高壓靜電分選后，半導(dǎo)體、導(dǎo)體、絕緣體物料可以得到收集并進(jìn)一步利用。最終實(shí)現(xiàn)信息銷毀、資源利用和環(huán)境友好。為確定系統(tǒng)工藝參數(shù)，實(shí)驗(yàn)對(duì)風(fēng)機(jī)蝶閥角度（α），風(fēng)機(jī)頻率（f），電選電壓（U），