銦、鋅、鈦基透明導(dǎo)電氧化物的電子結(jié)構(gòu)及光電性質(zhì).pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物薄膜集對(duì)可見光的良好透過率和高的電導(dǎo)率于一身，使得這類材料在太陽(yáng)電池、液晶及等離子體高清晰顯示、智能視窗以及建筑物的節(jié)能玻璃窗等諸多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用。 本論文對(duì)ITO、ZnO：B和ZnO：Al薄膜的結(jié)構(gòu)、電輸運(yùn)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)研究，并采用基于密度泛函理論的局域密度近似方法計(jì)算了ZnO、ZnO：B和TiO2、TiO2：Nb的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。 在基片溫度T≤100℃時(shí)得到的ITO薄膜是具

2、有半導(dǎo)體導(dǎo)電特性的非晶薄膜?；瑴囟萒≥120℃時(shí)得到的多晶薄膜在高溫（>100 K）時(shí)表現(xiàn)為金屬導(dǎo)電特性，在較低溫度（T<80 K）電阻溫度系數(shù)變?yōu)樨?fù)值，而薄膜的磁電導(dǎo)均為正值。研究發(fā)現(xiàn)，負(fù)的電阻溫度系數(shù)來源于弱局域效應(yīng)及庫(kù)侖相互作用對(duì)載流子輸運(yùn)的影響，并且，電子-電子散射是樣品中主要的非彈性散射過程。 在基片溫度為150℃下制備了具有金屬導(dǎo)電特性的ZnO：B薄膜，通過對(duì)樣品的磁電阻數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)其中負(fù)的部分來源于弱局域效

3、應(yīng)，而正的部分可用二能帶模型很好地描述，并且，低溫下載流子的非彈性散射主要是電子-電子散射，而庫(kù)侖相互作用是樣品低溫下反常電導(dǎo)率的主要來源。 在不同厚度（463.63 nm、203.03 nm和66.85 nm）的ZnO：Al薄膜中觀察到的負(fù)的磁電阻部分并非來自弱局域效應(yīng)，而是來源于局域磁矩對(duì)傳導(dǎo)電子的散射。 第一性原理計(jì)算顯示，ZnO的費(fèi)米能級(jí)位于帶隙中，顯示出半導(dǎo)體特性，導(dǎo)帶底起伏較大，說明其中載流子有效質(zhì)量較小。Z

4、nO：B的費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶，顯示了金屬導(dǎo)電性，價(jià)帶項(xiàng)與費(fèi)米能級(jí)間的能量差大于純ZnO的帶隙，施主能級(jí)位于導(dǎo)帶，在帶隙中未觀察到雜質(zhì)能級(jí)，這與實(shí)驗(yàn)上得到的ZnO：B的載流子濃度與溫度無關(guān)相對(duì)應(yīng)。 TiO2：Nb的費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶，表現(xiàn)出金屬特性：價(jià)帶頂與費(fèi)米能級(jí)間的能量差大于純TiO2的帶隙，這可以解釋實(shí)驗(yàn)上觀察到的當(dāng)Nb摻入TiO2時(shí)的藍(lán)移現(xiàn)象；光學(xué)性質(zhì)計(jì)算給出，基本吸收邊位于可見光光予能量以上，在高于和低于基本吸收邊均有吸收