透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體的制備及電學(xué)性質(zhì)研究進(jìn)展.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩28頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜的研究最早開(kāi)始于20世紀(jì)初,1907年Badwker首次制備了CdO透明導(dǎo)電薄膜,從此引發(fā)了透明導(dǎo)電薄膜的開(kāi)發(fā)與利用。1950年前后出現(xiàn)了SnO2基和In2O3基薄膜,ZnO基薄膜的研究興起于20世紀(jì)90年代。目前,透明導(dǎo)電氧化物薄膜主要包括SnO2,In2O3,ZnO及上述氧化物的摻雜體系。它們都具有半導(dǎo)體的性質(zhì),具有高的載流子濃度和較寬的禁帶寬度,

2、因而表現(xiàn)出很好的光電性能,如低的電阻率和在可見(jiàn)光范圍內(nèi)高的透射率。這些特性決定其在太陽(yáng)能電池、顯示器等諸多方面有著十分廣闊的應(yīng)用。
   本文論述了目前被廣泛研究并業(yè)已成熟的透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料,并對(duì)透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體薄膜的組成、性質(zhì)及制備工藝進(jìn)行論述,介紹制備TCO薄膜的各種方法、特點(diǎn)及在今后研究中需要解決的問(wèn)題,結(jié)果表明:
   1.ITO薄膜主要成分是In2O3,電阻率介于(10-3-10-5Ω.cm)之間,可

3、見(jiàn)光的透射率達(dá)85%以上,禁帶寬度3.55-3.75 eV之間。ITO薄膜的性能雖好,但其蘊(yùn)藏量和產(chǎn)量均有限,成本較高。因此,人們一直在尋找能夠替代ITO簿膜的材料。
   2.純SnO2理論上屬于典型的絕緣體,SnO2的摻雜氧化物屬于透明導(dǎo)電氧化物。經(jīng)過(guò)適當(dāng)摻雜的SnO2薄膜具有優(yōu)良的光電特性,常見(jiàn)的此類(lèi)TCO有摻氟的二氧化錫(FTO)、摻銻的二氧化錫(ATO)和摻磷的二氧化錫(PTO)等。
   3.ZnO是一種新型

4、的II-VI族直接帶隙半導(dǎo)體材料,它蘊(yùn)藏豐富、材料成本低、具有較寬的禁帶寬度(Eg為3.3 eV)較大的激子束縛能(60 meV)和壓電效應(yīng),并且無(wú)毒,是一種環(huán)保型材料,在很多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。ZnO:Al薄膜的電阻率為10-3-10-5Ω.cm,載流子濃度為1020-1021cm-3,可見(jiàn)光透射率大于85%,禁帶寬度約為3.40 eV。ZnO薄膜研究廣泛,它的突出優(yōu)勢(shì)是原料易得,制造成本低廉,無(wú)毒,易于實(shí)現(xiàn)摻雜,且在等離子體中穩(wěn)定性

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論