硅及硅化合物一維納米材料的制備與表征.pdf

1、近年來(lái)，一維納米材料特別是半導(dǎo)體—維納米材料由于其新穎的物理、化學(xué)特性及其在納電子、光電子器件中的潛在用途成為當(dāng)今的研究熱點(diǎn)。在現(xiàn)代微電子產(chǎn)業(yè)中有著重要應(yīng)用的硅及其化合物材料如氮化硅、氧化硅、碳化硅等，其一維納米材料的研究更是引起了人們的廣泛興趣。氮化硅可以通過(guò)適當(dāng)摻雜引入雜質(zhì)能級(jí)，用于制造量子阱獲得藍(lán)光激光。其折射率比傳統(tǒng)用作光纖的石英的折射率高，對(duì)光有較好的約束性能，因此在光波導(dǎo)方面可能會(huì)有更好的應(yīng)用前景。碳化硅是制作高頻、大功率、

2、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的理想材料，它的一維納米材料如納米棒、納米錐具有優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射性能，可應(yīng)用于制作場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的探針。一維二氧化硅納米材料由于具有獨(dú)特的光學(xué)特性在光致發(fā)光、光低維波導(dǎo)等方面具有重要的應(yīng)用。因此，硅及硅化合物一維納米材料的制備和性能研究具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用前景。 本文在調(diào)研了目前一維納米材料制備方法的基礎(chǔ)上，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備了大量超長(zhǎng)的單晶納米硅絲；采用熱蒸發(fā)法以不同物質(zhì)為前軀體在不同條