硅及硅化合物一維納米材料的制備與表征.pdf

1、近年來，一維納米材料特別是半導體—維納米材料由于其新穎的物理、化學特性及其在納電子、光電子器件中的潛在用途成為當今的研究熱點。在現代微電子產業(yè)中有著重要應用的硅及其化合物材料如氮化硅、氧化硅、碳化硅等，其一維納米材料的研究更是引起了人們的廣泛興趣。氮化硅可以通過適當摻雜引入雜質能級，用于制造量子阱獲得藍光激光。其折射率比傳統用作光纖的石英的折射率高，對光有較好的約束性能，因此在光波導方面可能會有更好的應用前景。碳化硅是制作高頻、大功率、

2、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的理想材料，它的一維納米材料如納米棒、納米錐具有優(yōu)良的場發(fā)射性能，可應用于制作場發(fā)射掃描電鏡的探針。一維二氧化硅納米材料由于具有獨特的光學特性在光致發(fā)光、光低維波導等方面具有重要的應用。因此，硅及硅化合物一維納米材料的制備和性能研究具有重要的科學意義和應用前景。 本文在調研了目前一維納米材料制備方法的基礎上，采用化學氣相沉積(CVD)法制備了大量超長的單晶納米硅絲；采用熱蒸發(fā)法以不同物質為前軀體在不同條